控制四象限直升机。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。为了加快模拟速度，使用了一个平均值Chopper模型。模拟同时使用了正引用和负引用。总仿真时间(t)为1 s。在t = 0.5 s时，负载直流电源E的极性发生变化。

控制降压-升压转换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。为了加快仿真速度，采用了平均DC-DC变换器模型。在整个模拟过程中，输入电压和系统负载保持不变。总模拟时间(t)为0.25 s。在t = 0.15 s时，参考电压改变，系统从降压模式切换到升压模式。

控制升压转换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。在整个模拟过程中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总模拟时间(t)为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载发生变化。

一个能将30V直流电源转换为15V直流稳压电源的开关电源。该模型可用于测量电感L和平滑电容C的大小，并可用于设计反馈控制器。通过在连续和离散控制器之间进行选择，可以探讨离散化的影响。

使用多项式RST控制器控制降压转换器的输出电压。RST控制器调节占空比。在整个模拟过程中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总模拟时间(t)为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载发生变化。在t = 0.2秒时，参考电压从6V变为4V。

模拟同步降压变换器中mosfet的热动力学。它匹配的结构同步Buck变换器与热动力学模型(>> ee_switching_power_supply_thermal)。省略电开关动态允许模拟采用更大的时间步长，极大地减少了模拟计算mosfet稳态温度所需的时间。

控制buck变换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。在整个模拟过程中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总模拟时间(t)为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载发生变化。

模拟和评估组件公差和故障事件对开关电源运行的影响。R、L和C组件都定义了公差、操作限制和故障。可以在块对话框中或使用MATLAB®命令启用故障。电容故障已经启用，在1.5e-3秒切入。

一个能将30V直流电源转换为15V直流稳压电源的开关电源。该模型可用于测量电感L和平滑电容C的大小，并可用于设计反馈控制器。通过在连续和离散控制器之间进行选择，可以探讨离散化的影响。将开关器件建模为mosfet，而不是理想的开关，可以确保正确表示器件的导通电阻。该模型还捕获了器件的开/关定时，这主要取决于门电容值和PWM驱动器输出电阻。

一种带频率控制的E类电源转换器。一个简单的积分控制是在Simulink®控制器块中实现的，旨在将100W传输到5ohm负金宝app载。该开关为LDMOS，具有非线性电容模型的高压晶体管，R Trans为变压器的等效串联电阻。输出范围显示漏源电压，用于评估开关上的电压应力。请注意，由于晶体管的非线性输出电容，峰值电压应力比输出电容恒定时预期的要高。此外，该示波器还显示频率控制信号、输出电压和输出电压的参考值。该模型可用于计算电路中元件的输出功率信息。

一种buck变换器，用于测量源上的共模和差模噪声。为了模拟共模噪声，电路和参考平面之间的电容耦合必须包含在模型中。在该电路中，还包括开关节点(高侧和低侧晶体管之间)与参考平面之间的电容。

一种带频率控制的DC-DC LLC电源转换器。一个简单的积分控制是在Simulink®控制器块中实现的，并被设计来实现由变量Vout_金宝appnominal定义的标称输出电压。输出范围显示频率控制信号，输出电压和输出电压的参考值。在启动期间，参考值上升到所需的设定值。采用一阶谐波近似自动计算LLC动力系统的设计。

控制一个两象限的直升机。二象限斩波器工作在第一和第四象限，允许正和负输出电压。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。总模拟时间(t)为0.5秒。在t = 0.25秒时，负载直流电源E的极性发生变化。

控制一个两象限的直升机。二象限斩波器工作在第一和第二象限，允许正和负输出电流。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。在整个仿真过程中，系统的负荷是恒定的。

反激变换器如何将5V直流电源升压为15V直流调节电源。电压是通过在变压器主电压上产生时变电压来增加的。变压器逐步提高电压，然后由二极管整流回直流。通过控制一次侧的开关频率，实现对输出电压的闭环控制。

控制四象限直升机。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。模拟同时使用了正引用和负引用。总仿真时间(t)为1秒。在t = 0.5秒时，负载直流源E的极性发生变化。

控制四开关降压升压变换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。在升压和降压模式下，一个开关控制占空比，一个反向操作，另外两个保持在固定位置。在整个仿真过程中，输入电压和系统负载被认为是恒定的。总模拟时间(t)为0.25秒。在t = 0.15秒时，参考电压改变，系统从降压模式切换到升压模式。

一种基于线性电流调节器的LED驱动器。范围显示光和电流输出和电源电压。当电源电压大于12V时，输出进入调节状态。

由分立元件构成的简单电压调节电路。波动电源被建模为20V直流加上1V正弦变化。齐纳二极管D1将运放的非反相输入设置为3.2V，因此运放增益较大，运放的反相输入和输出也均为3.2V。因此稳压器输出电压被调节为3.2*(1000+470)/470=10V。NPN双极晶体管需要提供比典型运放更高的电流。该模型可用于检查电路运行情况，并支持元器件的选择以实现所需的电压调节。金宝app

一种低成本的电压调节电路，其性能取决于负载电流和温度。偏置电阻R1确保晶体管基极上的电压接近额定齐纳电压。稳压器输出电压也大约在这个电压，基极-发射极电压为零点几伏。精确的基极-发射极电压取决于晶体管工作点(这反过来又取决于负载)和温度。电阻R2仅用于在瞬态输出短路时提供一些保护。

如何将故障应用于功率转换器中的MOSFET，以探索保护电路的操作。在MOSFET发生故障后，撬棍电路被激活，以便在负载上箝住输出电压，最终导致保险丝熔断。

控制一象限直升机。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。

控制推挽降压变换器的输出电压。流过电感的电流永远不会为零，因此DC-DC变换器工作在连续传导模式(CCM)。为了转换和维持标称输出电压，PI控制器子系统使用一个简单的积分控制。在启动过程中，参考电压上升到所需的输出电压。

控制推挽降压变换器的输出电压。在mosfet的开关周期中流过电感的电流达到零，因此DC-DC变换器工作在不连续传导模式(DCM)。这种模式的传导主要用于低功率应用。为了将输入直流电压转换为标称输出电压，PI控制器子系统使用了简单的积分控制。在启动过程中，参考电压上升到所需的输出电压。

压敏电阻如何应用于降压变换器，以保护开关mosfet免受差分浪涌引起的过压。

如何参数化Simscape™电气™二极管来表示瞬态电压抑制(TVS)二极管。本例为TVS二极管，适用于保护汽车电子设备免受与关闭感性负载相关的电压瞬变的影响。若要查看从数据表中提取的数据，请在“建模”选项卡上的“设置”部分单击“模型设置”>“模型属性”。在“Callbacks”页签中，单击“PreLoadFcn”。

在DC-DC转换器中使用不同级别的保真度。该系统包含三个降压-升压转换器。顶部转换器在采样时间为10 us时使用理想开关。为了产生准确的结果，即使模型在采样时间为50 us的情况下，中间转换器使用具有平均脉冲的平均开关。为了进一步提高采样率并作为理想的平均变换器工作，底部变换器使用平均开关和占空比代替门脉冲。控制子系统包含PWM发生器。Scopes子系统包含允许您查看模拟结果的Scope块。

在斩波转换器中使用不同级别的保真度。该系统包含三个四象限直升机。顶部转换器在采样时间为10 us时使用理想开关。为了产生准确的结果，即使模型在采样时间为50 us的情况下，中间斩波器使用平均脉冲的平均开关。为了进一步提高采样率并作为理想的平均斩波器工作，底部变换器使用平均开关和占空比而不是门脉冲。控制子系统包含PWM发生器。Scopes子系统包含允许您查看模拟结果的Scope块。

使用Simscape™Electrical™执行蒙特卡罗分析，以优化LLC谐振DC-DC变换器的设计，当其某些组件有公差时。

控制单相逆变系统中的电流。单相逆变器使用调制波形馈电的平均开关。此示例适用于在专用实时模拟器上进行实时计算。

控制双向DC-DC变换器的电感电流。为了调整占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。双向DC-DC变换器使用平均开关。为了达到不同程度的保真度，可以使用调制波形、平均门脉冲或门脉冲。

控制两相交错双向DC-DC变换器的电流。该两相变换器由两个具有理想igbt的双向DC-DC变换器组成。为了调整占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。为了减少变换器输出端口的纹波，两个相位以相同的占空比进行切换，但相对相移为180度。Scopes子系统包含允许您查看模拟结果的范围。

MOSFET参数如何影响自导通机制以及如何防止它。