量化IGBT热损耗

开放型号

该示例显示了基于绝缘栅极双极晶体管（IGBT）中的开关和传导损失的温度曲线的产生。有两个目标转换器。对于一个转换器，IGBT连接到寄养热模型。对于其他转换器，IGBT连接到CAUER热模型。调整热模型的参数以给出大致等效的结果。在模拟时间为50ms时，驾驶频率从40kHz变为20kHz，这增加了传导损耗并减少了开关损耗。损失的变化导致IGBT温度的相应变化。

模型

Foster和Cauer热网络都连接到表示散热器温度的固定温度源。为了获得有意义的结果，您必须将寄养热网络连接到固定温度源。为了建模散热器的热量和对流到环境，您可以将CAUER模型连接到任何其他热网络。在此示例中，CAUER模型连接到第三阶热网络，前两个热状态包含在IGBT块的内部热模型中。需要三阶模型来匹配实现的三阶寄养模型。通常，数据表仅为CAUER模型提供secord-reser-ryst-inction和案例动力学。

SIMSCAPE日志记录的仿真结果

下图显示了IGBT温度和能量损失作为寄养和CAUER热模型的时间功能。功率损耗是能量损失曲线的斜率。

产生损失的摘要

这ee_getPowerlosssummary公用事业功能报告由记录的模拟数据引起的电路组件产生的损失。“功率”列报告了传导损失，而SwitchingLosses列报告了半导体切换损耗。

ans = 12x3 table LoggingNode Power SwitchingLosses ___________________________________________ ______ _______________ {'ee_igbt_losses.Buck_circuit_1.Load' } 7453.8 0 {'ee_igbt_losses.Buck_circuit_2.Load' } 7453.8 0 {'ee_igbt_losses.IGBT_C' } 15.703 109.66 {'ee_igbt_losses.IGBT_F' } 15.702 109.74{'ee_igbt_losses.Buck_circuit_1.Diode' } 12.147 0 {'ee_igbt_losses.Buck_circuit_2.Diode' } 12.147 0 {'ee_igbt_losses.Buck_circuit_1.Capacitor'} 0 0 {'ee_igbt_losses.Buck_circuit_1.Inductor' } 0 0 {'ee_igbt_losses.Buck_circuit_2.capacitor'} 0 0 {'ee_igbt_losses.buck_circuit_2.inductor'} 0 0 {'ee_igbt_losses.rgate_c'} 0 0 {'ee_igbt_losses.rgate.rgate_f'} 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00士点