IGBT行为模型

开放模式

该示例测试套件可用于验证Simscape™Electrical™n通道IGBT的“简化I-V特性和基于事件的时序”建模选项。该建模选项只需要对应于通态门电压的I-V数据，并通过使集电极-发射极电压成为仿真时间的线性函数来模拟开通上升时间和关断下降时间。该方法具有模拟速度快、参数化简单等优点。

该测试线束可用于演示该建模选项的时序特性与“全I-V和电容特性”建模选项的时序特性非常相似。

两个建模选项都是从同一个数据表中参数化的。唯一需要调优的基于事件的建模选项参数是米勒电阻。这是调整，使当前尖峰匹配时，打开负载与预先存在的自由电流。

下面的图比较了Simscape Electrical中可用的两种IGBT模型的行为。简化建模选项提供了与完整建模选项类似的行为，并且已进行了调优，以便在打开具有预先存在的自由电流的负载时匹配当前峰值。