主要内容

探地雷达模型的完全独立条件逼近

完全独立条件(FIC)近似[1]是一种系统地逼近真实GPR核函数的方法,以避免SR近似的预测方差问题同时仍然保持有效的高斯过程。方法指定用于参数估计的FIC方法“FitMethod”、“膜集成电路的调用中的名称-值对参数fitrgp.对于使用FIC的预测,可以使用“PredictMethod”、“膜集成电路的调用中的名称-值对参数fitrgp

逼近核函数

FIC近似为 k x x j | θ 对于活动集 一个 N 1 2 ... n 由:

k F C x x j | θ 一个 k 年代 R x x j | θ 一个 + δ j k x x j | θ k 年代 R x x j | θ 一个 δ j 1 如果 j 0 如果 j

也就是说,FIC近似等于SR近似 j .为 j ,软件使用准确的内核值而不是近似值。定义一个n——- - - - - -n对角矩阵 Ω X | θ 一个 如下:

Ω X | θ 一个 j δ j k x x j | θ k 年代 R x x j | θ 一个 k x x j | θ k 年代 R x x j | θ 一个 如果 j 0 如果 j

FIC近似为 K X X | θ 然后由:

K F C X X | θ 一个 K 年代 R X X | θ 一个 + Ω X | θ 一个 K X X 一个 | θ K X 一个 X 一个 | θ 1 K X 一个 X | θ + Ω X | θ 一个

参数估计

替换 K X X | θ 通过 K F C X X | θ 一个 的边缘对数似然函数产生其FIC近似:

日志 P F C y | X β θ σ 2 一个 1 2 y H β T K F C X X | θ 一个 + σ 2 n 1 y H β N 2 日志 2 π 1 2 日志 | K F C X X | θ 一个 + σ 2 n |

就像确切的方法时,软件通过先计算来估计参数 β θ σ 2 的最优估计 β ,鉴于 θ 而且 σ 2 .然后估计 θ , σ 2 使用 β -剖面边缘对数似然。FIC估计为 β 对于给定 θ , σ 2

β F C θ σ 2 一个 H T K F C X X | θ 一个 + σ 2 N 1 H 1 H T K F C X X | θ 一个 + σ 2 N 1 y

H T Λ θ σ 2 一个 1 H H T Λ θ σ 2 一个 1 K X X 一个 | θ B 一个 1 K X 一个 X | θ Λ θ σ 2 一个 1 H H T Λ θ σ 2 一个 1 y H T Λ θ σ 2 一个 1 K X X 一个 | θ B 一个 1 K X 一个 X | θ Λ θ σ 2 一个 1 y B 一个 K X 一个 X 一个 | θ + K X 一个 X | θ Λ θ σ 2 一个 1 K X X 一个 | θ Λ θ σ 2 一个 Ω X | θ 一个 + σ 2 n

使用 β F C θ σ 2 一个 , β FIC近似的-剖面边际对数似然为:

日志 P F C y | X β F C θ σ 2 一个 θ σ 2 一个 1 2 y H β F C θ σ 2 一个 T K F C X X | θ 一个 + σ 2 N 1 y H β F C θ σ 2 一个 N 2 日志 2 π 1 2 日志 | K F C X X | θ 一个 + σ 2 N |

在哪里

K F C X X | θ 一个 + σ 2 N 1 Λ θ σ 2 一个 1 Λ θ σ 2 一个 1 K X X 一个 | θ B 一个 1 K X 一个 X | θ Λ θ σ 2 一个 1 日志 | K F C X X | θ 一个 + σ 2 N | 日志 | Λ θ σ 2 一个 | + 日志 | B 一个 | 日志 | K X 一个 X 一个 | θ |

预测

的分布的FIC近似 y n e w 鉴于 y X x n e w

P y n e w | y X x n e w N y n e w | h x n e w T β + μ F C σ n e w 2 + Σ F C

在哪里 μ F C 而且 Σ F C FIC近似值是 μ 而且 Σ 给出了采用精确探地雷达方法进行预测.在SR案例中, μ F C 而且 Σ F C 是通过将所有真核的出现替换为其FIC近似而得到的。最终的形式 μ F C 而且 Σ F C 分别如下:

μ F C K x n e w T X 一个 | θ B 一个 1 K X 一个 X | θ Λ θ σ 2 一个 1 y H β

Σ F C k x n e w x n e w | θ K x n e w T X 一个 | θ K X 一个 X 一个 | θ 1 K X 一个 x n e w T | θ + K x n e w T X 一个 | θ B 一个 1 K X 一个 x n e w T | θ

在哪里

B 一个 K X 一个 X 一个 | θ + K X 一个 X | θ Λ θ σ 2 一个 1 K X X 一个 | θ Λ θ σ 2 一个 Ω X | θ 一个 + σ 2 n

参考文献

坎德拉,j.q。稀疏近似高斯过程回归的统一观点机器学习研究杂志。第6卷,1939-1959页,2005年。

另请参阅

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