复合三相端口与扩展三相端口的比较。所述第一电路显示配置有复合三相端口的电压源。Phase Splitter模块提供了到Simscape™基础库电气元素的接口。第二个电路显示了配置有扩展三相端口的电压源，该端口可以直接连接到Simscape基础库电气元件。通过使用建模选项掩码参数，电压源可以从复合端口更改为扩展三相端口。

如何使用控制PWM电压和h桥块来控制电机。直流电机模块使用制造商数据表参数，该参数指定电机在12V直流电源运行时，在2500转/分钟时提供10W机械功率，空载速度为4000转/分钟。因此，如果将PWM参考电压设置为+5V的最大值，则电机应以4000转/分的速度运行。如果它被设置为+2.5V，那么它应该运行在大约2000 rpm。仿真模型参数被设置为平均的控制PWM电压和h桥区块，导致快速仿真。要验证平均行为，将两个块中的仿真模式参数更改为PWM。

使用两个运算放大器的三角波发生器电路的实现。电路的第一级是由运算放大器构成的比较器。比较器的输出被两个齐纳二极管限制在正负5伏左右。齐纳二极管施加的限制导致方波。

用于A-to-D转换器的抗混叠滤波器的模拟实现。滤波器截止频率设置为500Hz，以匹配A-to-D转换器的采样频率1kHz。测试信号包含所需的50Hz正弦波加上1100Hz的更高频率成分，这是无法用1kHz a - d采样频率捕获的。该范围显示捕获信号没有和抗走样。使用抗混叠滤波器，正确测量50Hz正弦波振幅，振幅为1，相应功率为0.5W，即对于1欧姆参考负载，27dBm。

控制四象限直升机。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。为了加快模拟速度，使用了一个平均值Chopper模型。模拟同时使用了正引用和负引用。总仿真时间(t)为1 s。在t = 0.5 s时，负载直流电源E的极性发生变化。

控制buck变换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统使用基于pi的控制算法。在整个模拟过程中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总模拟时间(t)为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载发生变化。

利用永磁同步电机(PMSM)来放大汽车助力转向系统中驾驶员施加的力。

如何使用一个简单的代表性模型来探索旋转能量清除器的性能。电能是由附在直流电动机轴上的偏离中心的质量产生的。质量、几何形状、电机和电气参数必须与预期的机械激励相匹配。产生的电力小于提取的机械功率，主要是由于电机绕组损耗和转子的粘性阻尼。这个例子是基于Nunna, K。“基于应用的建设性互连和阻尼分配被动控制”，伦敦帝国理工学院(2014)。这里的模型简化了，因为省略了DC-DC变换器。

在绝缘栅双极晶体管(IGBT)中根据开关和导通损耗产生的温度分布。有两个一元转换器。对于一个转换器，IGBT连接到一个福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT连接到一个Cauer热模型。热模型的参数经过调整，得到大致相同的结果。仿真时间为50ms时，驱动频率由40kHz变为20kHz，导通损耗增大，开关损耗减小。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

自定义频率相关的传输线模型。首先从频率相关的电阻、电抗和电纳推导出特征导纳和传播函数。使用RF工具箱拟合得到的值。然后根据拟合参数在Simscape中实现通用线模型(ULM)[1]。将频率相关传输线模型与经典pi截面传输线模型的结果进行了比较。

在绝缘栅双极晶体管(IGBT)中根据开关和导通损耗产生的温度分布。有两个一元转换器。对于一个转换器，IGBT连接到一个福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT连接到一个Cauer热模型。热模型的参数经过调整，得到大致相同的结果。仿真时间为50ms时，驱动频率由40kHz变为20kHz，导通损耗增大，开关损耗减小。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

工作在冷却模式下的珀尔帖设备，热侧温度为50度。在冷却模式下，Peltier电池的性能系数(COP)等于通过热电冷却器(TEC)传递的总热量除以电输入功率，COP = Qc/Pin。

通过在磁路中使用非线性磁阻块来模拟一个显示迟滞的自定义变压器。变压器额定负载为50W，有效值从120V降至12V。利用涡流损耗块在磁域中模拟磁化电阻Rm。

在稳定模式下使用555定时器实现脉冲宽度调制(PWM)输出。占空比由电位器P1设定。电位器在运行期间通过占空比控制旋钮进行控制。作用域显示555 Timer的结果输出。要结束模拟，单击Stop按钮。