IGBT行为模型

开放型号

此示例测试线束可用于验证SIMSCAPE™N-enchannel IGBT的“简化I-V特性和基于事件的时机”建模选项。此建模选项仅需要与州门电压相对应的I-V数据，并且通过使收集器发射器电压成为仿真时间的线性函数，模型上升时间和关闭时间降落时间。这种方法的优点是更快的仿真和更容易的参数化。

测试安全带可用于证明此建模选项的定时特性与“完整的I-V和电容特性”建模选项非常相似。

这两个建模选项已从同一数据表进行了参数化。需要调整的唯一基于事件的建模选项参数是磨坊主电阻。对此进行了调整，以使电流尖峰在打开带有预先存在的自由轮电流的负载时匹配。

下面的图比较了SIMSCAPE电气中可用的两种IGBT模型的行为。简化的建模选项提供了与完整建模选项相似的行为，并已对其进行调整，以便当前的尖峰与预先存在的freewheeling电流打开负载时相匹配。