这个示例向您展示了如何提取被测设备(DUT)的s参数。首先,读取一个Touchstone®文件到sparameters
对象,其次,计算左右垫的s参数,第三,使用deembedsparams
函数并最终显示结果。
本例使用文件中的s参数数据samplebjt2.s2p
收集从一个双极型晶体管夹具与键合线(1 nH串联电感)连接到一个债券垫(100 fF)的并联电容在输入,和债券垫(100 fF)的并联电容连接到一个键合线(串联电感1 nH)输出,见图1。
图1:被测设备(DUT)和测试夹具。
本示例还将说明如何消除夹具的影响,以提取DUT的S参数。
创建一个sparameters
对象,通过读取Touchstone®数据文件,samplebjt2.s2p
.
S_测量BJT=散粒流量计(‘samplebjt2.s2p’);频率= S_measuredBJT.Frequencies;
创建两个端口电路
对象,表示包含序列的左侧填充电感器
和分流器电容器
.然后利用频率计算s参数samplebjt2.s2p
.
leftpad =电路(“左”);添加(leftpad[1 - 2],电感器(1 e-9);添加(leftpad[2 3],电容器(100 e15汽油));setports (leftpad 3 [1], [2 3]);S_leftpad = sparameters (leftpad、频率);
创建两个端口电路
对象表示包含序列的右侧填充电感器
和分流电容器
.然后,利用频率计算s参数samplebjt2.s2p
.
rightpad =电路(“对”);add (rightpad, 3[1],电容器(100 e15汽油));添加(rightpad[1 - 2],电感器(1 e-9);setports (rightpad 3 [1], [2 3]);S_rightpad = sparameters (rightpad、频率);
通过消除输入和输出焊盘的影响,从测量的S参数中去除DUT的S参数(deembedsparams
).
S_DUT = deembedsparams (S_measuredBJT S_leftpad S_rightpad);
使用smithplot
函数来绘制测量到的和未嵌入的S11参数。
图hs = smithplot(S_measuredBJT,1,1);持有在…上;smithplot hs (S_DUT 1 1)。ColorOrder = [1 0 0;0 0 1);海关。LegendLabels = {“测量S11”,“De-Embedded S11”};
使用smithplot
用于绘制测量和反嵌入S22参数的函数。
数字保持从;smithplot (S_measuredBJT 2 2)在…上;smsplot (S_DUT,2,2) hs =“gco”);海关。ColorOrder = [1 0 0;0 0 1);海关。LegendLabels = {“测量S22”,“De-Embedded S22”};
使用rfplot
函数来绘制测量和去嵌入的S21参数。
数字保持从;h1 = rfplot (S_measuredBJT 2 1);持有在…上;h2 = rfplot (S_DUT 2 1);传奇(h1, h2, {“测量S_{21}”,“De-Embedded S_{21}”});