主要内容
半导体
分立半导体器件，如二极管和晶体管
使用离散半导体器件转换和整流功率。
Simscape块
| 限流器 | 限流器的行为模型 |
| 二极管 | 分段二极管或指数二极管 |
| 门驱动器 | 门驱动集成电路的行为模型 |
| 矩形脉冲断开 | 门关断晶闸管 |
| 网格状的司机 | 半桥式驱动集成电路行为模型 |
| 网格状的(理想,切换) | 半桥式理想开关和热端口 |
| 理想的半导体开关 | 理想的半导体开关 |
| IGBT(理想,切换) | 理想的绝缘栅双极晶体管开关应用 |
| MOSFET(理想,切换) | 理想的n沟道MOSFET开关应用 |
| n沟道IGBT | n沟道绝缘栅双极晶体管 |
| n沟道JFET | n沟道结场效应晶体管 |
| n沟道LDMOS场效应晶体管 | 适用于高电压的n沟道侧向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管 |
| n沟道MOSFET | 采用Shichman-Hodges方程或表面电位模型的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| NPN双极型晶体管 | NPN双极晶体管使用增强型Ebers-Moll方程 |
| 光耦合器 | 光耦合器的行为模型，如LED、电流传感器和控制电流源 |
| p沟道JFET | p沟道结场效应晶体管 |
| p沟道LDMOS场效应晶体管 | 适用于高电压的p沟道侧向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管 |
| p沟道MOSFET | 采用Shichman-Hodges方程或表面电位模型的p -沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| PNP型双极型晶体管 | PNP双极晶体管使用增强型Ebers-Moll方程 |
| SPICE-Imported MOSFET | 由外部SPICE子电路参数化的预定义MOSFET |
| 晶闸管 | 晶闸管采用NPN和PNP晶体管 |
| 晶闸管(分段线性) | 晶闸管 |
功能
ee_getEfficiency |
计算效率作为耗散的功率损失的函数 |
ee_getPowerLossSummary |
计算耗散功率损耗和开关损耗 |
ee_getPowerLossTimeSeries |
计算耗散功率损耗和开关损耗，并返回时间序列数据 |
主题
用于指定块参数以匹配来自制造商数据表的数据的技术概述。
为分段线性二极管指定块参数，以匹配来自制造商数据表的数据。
为指数二极管指定块参数，以匹配来自制造商数据表的数据。
为指数二极管指定块参数，以匹配SPICE网表数据。
通过热接口模拟产生的热量和设备温度。
根据模块参数值，绘制半导体器件模型的I-V曲线。
根据指定的参数值验证MOSFET模型的行为。
特色的例子
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