LTE上行EVM和带内排放测量

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根据TS 36.101附件F, LTE工具箱™可用于在上行信号上执行误差矢量大小(EVM)和带内排放测量[1］.

介绍

TS 36.101附件F [1]定义了上行传输的两种度量，EVM和带内排放:

EVM用于测量接收信号的星座误差。EVM被定义为分配资源块的理想接收波形和测量波形之间的差值。平均EVM在两个时间点(低和高)测量，其中低和高位置对应于循环前缀的开始和结束内FFT窗口的对齐。LTE工具箱要求将低位和高位位置指定为循环前缀长度的一小部分。

用户设备(UE)传输使用参考测量信道(RMC)和随机物理上行共享信道(PUSCH)数据创建，并引入附加噪声到模型发射器EVM、频率和智商偏移。在计算EVM和带内辐射之前，同步发射波形。

发射机

生成RMC的功能lteRMCUL为特定于给定固定参考通道(FRC)的给定UE设置创建配置结构。这个结构是由lteRMCULTool生成带有随机PUSCH数据的UE传输。

%设置随机数生成器的种子为0rng (0);% UE Configuration, TS36.101 FRCfrc = lteRMCUL (“A3-1”）;frc.PUSCH.RVSeq = 0;%冗余版本frc。TotSubframes = 15;%要生成的子帧总数%创建UE传输与随机PUSCH数据txWaveform = lteRMCULTool(frc,randi([0 1]， frc. pusch . trblksizes(1)， 1)); / /输出

损伤模型

在传输中添加障碍以模拟被测设备:

1.2%发射EVM模型与加性噪声。
33赫兹频率偏移。
0.01 - 0.005j IQ补偿

带有附加噪声的EVM模型scfdmaInfo = lteSCFDMAInfo (frc);txEVMpc = 1.2;所需发送EVM的百分比evmModel = txEVMpc /(100 * 12(双(scfdmaInfo.Nfft))) *．..复杂(randn(大小(txWaveform)), randn(大小(txWaveform))) /√(2);rxWaveform = txWaveform + evmModel;%增加接收波形的频率偏移损害foffset = 33.0;%频率偏差(赫兹)t =(0:长度(rxWaveform) 1)。“/ scfdmaInfo.SamplingRate;rxWaveform = rxWaveform。* exp(1 * 2 *π* foffset * t);添加IQ偏移量Iqoffset = complex(0.01， -0.005);rxWaveform = rxWaveform + iqoffset;

接收机

接收到的波形是同步的，以便进行测量

%应用频率估计和校正的目的进行执行%的时间同步ffoffset_est = lteFrequencyOffset(frc, rxWaveform); / /频率偏移rxWaveformFreqCorrected =．..lteFrequencyCorrect (frc rxWaveform foffset_est);与接收的波形同步lteULFrameOffset = lteULFrameOffset(frc, frc。PUSCH rxWaveformFreqCorrected);rxWaveform = rxWaveform(1 +抵消:最终,);

执行测量

通过调用计算了PUSCH EVM、PUSCH DRS EVM和带内辐射hPUSCHEVM．

EVM结果和绝对带内排放量 $\ Delta_ {RB}$ 并显示槽位号。 $\ Delta_ {RB}$ 为已分配资源块(RB)与测量的未分配资源块(RB)之间的启动频率偏移量，即 $$ \ Delta_ {RB} = 1美元$ 对于分配带宽之外的第一个相邻的RB。还制作了一些地块:

EVM与OFDM符号
维生素和副载波
EVM与资源块
EVM与OFDM符号和子载波(即EVM资源网格)

注意，根据LTE标准，命令窗口显示的EVM测量值仅在已分配的PUSCH资源块之间计算。EVM图显示了所有资源区块(已分配或未分配)，允许查看带内排放。在未分配的资源块中，EVM是在假定接收到的资源元素的期望值为零的情况下计算的。

每个E-UTRA载波对QPSK/BPSK、16QAM、64QAM和256QAM调制的EVM应不超过根据TS 36.101分别为17.5%、12.5%、8%和3.5%的EVM水平[1］.

计算EVM和带内排放[evmpusch, evmdrs, emissions, plot] = hPUSCHEVM(frc, rx波形);%绘制绝对波段内排放量如果(~ isempty (emissions.DeltaRB) hPUSCHEVMEmissionsPlot(排放);结束

低边缘PUSCH维生素,槽0:1.231%低边缘PUSCH维生素,插槽1:1.231%低边缘DRS维生素与槽0:1.298%低边缘DRS维生素与插槽1:1.266%高边缘PUSCH维生素,槽0:1.189%高边缘PUSCH维生素,插槽1:1.221%高边缘DRS维生素与槽0:1.262%高边缘DRS维生素与插槽1:1.297%低边缘PUSCH维生素,槽2:1.156%低边缘PUSCH维生素,槽3:1.260%低边DRS维生素、槽2:1.309%低边缘DRS维生素与槽3:1.089%高边缘PUSCH维生素,槽2:1.137%高边缘PUSCH维生素,槽3:1.249%高边缘DRS维生素与槽2:1.321%高边缘DRS维生素与槽3:1.022%低边缘PUSCH维生素,槽4:1.240%低边缘PUSCH维生素,槽5:1.223%低边缘DRS维生素与槽4:1.516%低边缘DRS维生素与槽5:1.035%高边缘PUSCH维生素,槽4:1.232%高边缘PUSCH维生素,槽5:1.234%高边缘DRS维生素与槽4:1.442%高边缘DRS维生素与槽5:1.114%低边缘PUSCH维生素,槽6:1.308%低边缘PUSCH维生素,槽7:1.284%低边缘DRS维生素与槽6:1.335%低边缘DRS维生素与槽7:1.233%高边缘PUSCH维生素,槽6:1.358%高边缘PUSCH维生素,槽7:1.284%高边缘DRS维生素、槽6:1.445%高边缘DRS维生素与槽7:1.185%低边缘PUSCH维生素,槽8:1.336%低边缘PUSCH维生素,槽9:1.289%低边缘DRS维生素与槽8:0.943%低边缘DRS维生素与槽9:1.303%高边缘PUSCH维生素,槽8:1.368%高边缘PUSCH维生素,槽9:1.282%高边缘DRS维生素与槽8:0.985%高边缘DRS维生素与槽9:1.255%低边缘PUSCH维生素,槽10:1.211%低边缘PUSCH维生素,槽11:1.199%低边缘DRS维生素与槽10:1.244%低边缘DRS维生素与槽11:1.126%高边缘PUSCH维生素,槽10:1.211%高边缘PUSCH维生素,槽11:1.203%高边缘DRS维生素与槽10:1.257%高边缘DRS维生素与槽11:1.068%低边缘PUSCH维生素,槽12:1.275%低边缘PUSCH维生素,插槽13:1.079%低边缘DRS维生素与槽12:1.275%低边缘DRS维生素与插槽13:1.197%高边缘PUSCH维生素,槽12:1.298%高边缘PUSCH维生素,插槽13:1.070%高边缘DRS维生素与槽12:1.187%高边缘DRS维生素与插槽13:1.139%低边缘PUSCH维生素,插槽14:1.133%低边缘PUSCH维生素,槽15:1.253%低边DRS维生素,插槽14:1.287%低边缘DRS维生素与槽15:1.014%高边缘PUSCH维生素,插槽14:1.117%高边缘PUSCH维生素,槽15:1.262%高边缘DRS维生素与槽14:1.345%高边缘DRS维生素与槽15:0.980%低边缘PUSCH维生素,槽16:1.327%低边缘PUSCH维生素,槽17:1.244%低边缘DRS维生素与槽16:1.351%低边DRS维生素、槽17:1.268%高边缘PUSCH维生素,槽16:1.362%高边缘PUSCH维生素,槽17:1.193%高边缘DRS维生素与槽16:1.406%高边缘DRS维生素与槽17:1.322%低边缘PUSCH维生素,槽18:1.370%低边缘PUSCH维生素,槽19:1.328%低边缘DRS维生素与槽18:1.229%低边缘DRS维生素与槽19:1.354%高边缘PUSCH维生素,槽18:1.359%高边缘PUSCH维生素,槽19:1.341%高边缘DRS维生素与槽18:1.132%高边缘DRS维生素与槽19:1.430%平均挣值管理优势PUSCH都低,0:帧平均高1.251%边缘PUSCH维生素,帧0:1.251%平均PUSCH维生素与帧0:1.251%平均DRS维生素与帧0:1.238%低边缘PUSCH维生素,槽0:1.402%低边缘PUSCH维生素,插槽1:1.343%低边缘DRS维生素与槽0:1.272%低边缘DRS维生素与插槽1:1.157%高边缘PUSCH维生素,槽0:1.372%高边缘PUSCH维生素,插槽1:1.358%高边缘DRS维生素与槽0:1.310%高边缘DRS维生素与插槽1:1.122%低边缘PUSCH维生素,槽2:1.292%低边缘PUSCH维生素,槽3:1.235%低边缘DRS维生素与槽2: 1.273% Low edge DRS EVM, slot 3: 1.502% High edge PUSCH EVM, slot 2: 1.245% High edge PUSCH EVM, slot 3: 1.199% High edge DRS EVM, slot 2: 1.280% High edge DRS EVM, slot 3: 1.527% Low edge PUSCH EVM, slot 4: 1.410% Low edge PUSCH EVM, slot 5: 1.114% Low edge DRS EVM, slot 4: 1.464% Low edge DRS EVM, slot 5: 1.195% High edge PUSCH EVM, slot 4: 1.426% High edge PUSCH EVM, slot 5: 1.141% High edge DRS EVM, slot 4: 1.513% High edge DRS EVM, slot 5: 1.159% Low edge PUSCH EVM, slot 6: 1.262% Low edge PUSCH EVM, slot 7: 1.288% Low edge DRS EVM, slot 6: 1.376% Low edge DRS EVM, slot 7: 0.913% High edge PUSCH EVM, slot 6: 1.288% High edge PUSCH EVM, slot 7: 1.305% High edge DRS EVM, slot 6: 1.361% High edge DRS EVM, slot 7: 0.900% Low edge PUSCH EVM, slot 8: 1.445% Low edge PUSCH EVM, slot 9: 1.256% Low edge DRS EVM, slot 8: 1.360% Low edge DRS EVM, slot 9: 1.308% High edge PUSCH EVM, slot 8: 1.452% High edge PUSCH EVM, slot 9: 1.298% High edge DRS EVM, slot 8: 1.397% High edge DRS EVM, slot 9: 1.296% Averaged overall PUSCH EVM: 1.251% Averaged overall DRS EVM: 1.238%