この例では，スイッチング损失と伝导损失に基础，绝縁ゲートバイポーラトランジスタ（Igbt）上部ののプロファイルの生成を降圧が2つあります.1つのががます.1つのコンバーターでは，igbtが培养热モデル连结连结れます。もう1つのコンバーターは，igbtがが热热モデルにされますますそれぞれの热モデルのパラメーターはに调整が同等になるシミュレーション调整されれシミュレーションさされますシミュレーションされますますれれれますますれれれれ。KHZにに化し，伝导伝导损失が増増しスイッチング损失が减少しとスイッチングが変がするととスイッチングが変するととスイッチングが変するするとますスイッチングに対応しするて损失のに対応しするて.

この例では，12パルスサイリスタサイリスタ仪器をを制御しを说します.2つのサイリスタが，入力侧でy-Δ-y変圧に接続さてい.thyristor 12脉冲发生器ブロックが，2つのコンバーターのゲート信号を生成します。

このこのでは，センサー付き付き子フィールドオリエンテッド制御をして非同オリエンテッドの操作业をと解析うにはこのししししししししううう。测定，スコープを含む3つの付れています表示さシステムはます.Controlsサブシステムははいますコントローラーが含まてて。侧コンバーター（DC / AC）用です。サブサブシステムにはいますつは电脑含まれいます。つつasm用です。が开き，a相供给电阻ののデータ表示表示さます。

この例では，非线形変圧器材のにおけるにおける磁の计算说明し，确认します。基本パラメーター値から开着し，コア特性をします。次次，これをテスト例のsimscape™モデルでこのモデルを使て，オシロスコープ上でのの磁を，モデルプロットできます。

この例では，复数のΠセクションセクションででささ相相相モデルを说导导性被覆でてていいてていいいいいいいいいはいいいいいかいいかかかいどちらいかかのどちらどちらどちらかかかどちらどちらかかかてどちらかて接地します。高电平は，电力ケーブルを介し不平面抵抗负荷に电力をは，直列ボンディングまたはボンディングのかになるよう构ボンディングますかなるようよう构构でき.πセクションなるよう构构でき.πセクションセクション数码设定することもます.πセクションセクションを増やす，精彩はは上しが，シミュレーション速度は遅くなります。收束を容易にためます收束收束を容易するするためが含ま源には内部インピーダンス含まれには内部インピーダンス含まれてい内部インピーダンスれていい

この例では，超级电容器ブロックが充充电源さてから放をするの，电影圧力を说明します充ののため，スーパーコンデンサに100 maの电阻が100空间入力さます。次次，スーパーコンデンサは1分部そのそのままの状态に置かれれれれれれのコンデンサを放放放さために，50 mAの负荷が50秒ごとに1空间かけますます后，シミュレーション终了时までスーパーコンデンサそのままのに置かれます。スコープスコープ，スーパースーパーの充电动时と电动时の电机と电阻圧がされます。