IGBT行为模型

该示例测试线束可用于验证Simscape™电气™N沟道IGBT的“简化的I-V特性和基于事件的定时”变量。该变体仅需要对应于通电状态栅极电压的I-V数据，并通过使集电极 - 发射极电压成为模拟时间的线性函数来模型开启上升时间和关闭下降时间。这种方法的优点是更快的仿真和更容易参数化。

测试线束可用于证明该变体的定时特性与“完整I-V和电容特性”变体非常相似。要在变型之间进行选择，请右键单击N-Channel IGBT块，然后选择“Simscapt块选择”。

这两个变体都是从相同的数据表参数化的。需要调谐的唯一基于事件的变体参数是米勒电阻。调整这一点，使当前尖峰与预先存在的续流电流打开负载时匹配。