了解如何使用DC-DC转换器的仿真模型来确定电源损耗和模拟转换器的热行为。Simscape Electronics™的N沟道MOSFET块用于模拟功率半导体的非线性切换行为,并模拟转换器的热行为。
这个例子展示了如何参数化n沟道MOSFET块基于在SEPIC转换器中使用的MOSFET的数据表。数据表中的静态和动态特性都用于参数化数据块。
一旦块被参数化,该示例会显示如何检查块是否与数据表匹配稳态和栅极充电特性。为此,单独的Simscape™模型用于生成这些特征,然后与数据表的曲线相比,以确保近匹配。类似地,生成传递特性和栅极电荷特性并与数据表进行比较。
然后将参数化的N沟道MOSFET块添加到SEPIC转换器模型中以替换理想的开关块。该示例显示了如何将热端口添加到块并计算耗散功率损耗。
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