LTE上行eVM和带内排放量度测量

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此示例显示LTE Toolbox™如何用于对根据TS 36.101附件F的上行链路信号执行错误矢量幅度（EVM）和带内发射测量值[1]。

介绍

TS 36.101附件F [1]为上行链路传输，EVM和带内排放定义两个测量值：

EVM被用作接收信号星座误差的量度。EVM被定义为理想接收波形和用于分配资源块的测量波形之间的差异。在两个位置（低和高）的两个位置处测量平均EVM，其中低位和高位置对应于循环前缀的开始和结束内的FFT窗口的对准。LTE工具箱需要将低点和高位置指定为循环前缀长度的一小部分。

使用参考测量信道（RMC）和随机物理上行链路共享信道（PUSCH）数据来创建用户设备（UE）传输，并通过将添加剂噪声引入模型发送器EVM和频率和IQ偏移来损害。在计算EVM和带内排放的功能之前，传输的波形是同步的。

发射机

生成RMC功能ltermcul.创建特定于给定固定参考通道（FRC）的给定UE设置的配置结构。这种结构被使用ltermiultool.以随机PUSCH数据生成UE传输。

％设置用于0的随机数发生器的种子RNG（0）;％UE配置，TS36.101 FRCfrc = ltermcul（'a3-1'）;frc.pusch.rvseq = 0;％冗余版本frc.totsubframes = 15;生成的子帧总数％使用随机PUSCH数据创建UE传输txwaveform = ltermcultool（frc，randi（[0 1]，frc.pusch.trblksizes（1），1））;

损伤建模

将损伤添加到传输中以模拟正在测试的设备：

1.2％用添加剂噪声进行模型的传输EVM。
33 Hz频率偏移。
0.01 - 0.005J IQ偏移量

％型号EVM具有添加剂噪声scfdmainfo = LTESCFDMAINFO（FRC）;txevmpc = 1.2;％期望传输EVM以百分比EVMMODEL = TXEVMPC /（100 * SQRT（DOUBLE（SCFDMAINFO.nfft）））*......复杂（Randn（尺寸（txwaveform）），randn（尺寸（txwaveform））/ sqrt（2）;rxwaveform = txwaveform + EVMModel;％将频率偏移损伤添加到接收波形foffset = 33.0;赫兹的％频率偏移量t =（0：长度（rxwaveform）-1）。'/ scfdmainfo.samplingrate;rxwaveform = rxwaveform。* exp（1i * 2 * pi * foffset * t）;％添加IQ偏移量iqoffset =复杂（0.01，-0.005）;rxwaveform = rxwaveform + iqoffset;

接收者

接收的波形同步以允许进行测量

％施加频率估计和校正的表演的目的％时序同步foffset_est = ltefrequencyOffset（frc，rxwaveform）;rxwaveformfreqcorrited =.......ltefrequencycorrect（frc，rxwaveform，foffset_est）;％同步到接收波形offset = lteulframeoffset（frc，frc.pusch，rxwaveformfreqcorrited）;rxwaveform = rxwaveform（1 + offset：结束，:);

执行测量

PUSCH EVM，PUSCH DRS EVM和带内排放通过呼叫来计算HPUSCHEVM.。

EVM结果和每种绝对的带内排放量 $\ delta_ {rb}$ 显示插槽号。 $\ delta_ {rb}$ 是分配资源块（RB）和测量的未分配RB之间的起始频率偏移，即，即 $\ delta_ {rb} = 1$ 对于分配带宽之外的第一个相邻RB。还生产了许多地块：

EVM与OFDM符号
EVM与子载波
EVM与资源块
EVM与OFDM符号和子载波（即EVM资源网格）

注意，根据LTE标准，仅在命令窗口中显示的EVM测量仅在分配的PUSCH资源块上计算。EVM图在所有资源块（分配或未分配）上显示，允许查看带内的排放。在未分配的资源块中，假设所接收的资源元素具有零值的预期值来计算EVM。

QPSK / BPSK，16QAM，64QAM和256QAM调制的每个E-UTRA载体的EVM不应超过EVM水平，分别超过TS 36.101表6.5.2.1.1-1的EVM水平分别为17.5％，12.5％，8％和3.5％[1]。

％计算EVM和带内排放量[EVMPUSCH，EVMDRS，排放，绘图] = HPUSCHEVM（FRC，RxWAVEFORM）;％绘制绝对的带内排放量如果（〜isempty（emissions.deltarb））HPUSCHEVMEMISSIONSPLOT（排放）;结尾

低边坡EVM，槽0：1.231％低边缘PUSCH EVM，槽1：1.231％低边缘DRS EVM，槽0：1.298％低边缘DRS EVM，插槽1：1.266％高边缘PUSCH EVM，插槽0：1.189％高边缘PUSCH EVM，插槽1：1.221％高边缘DRS EVM，插槽0：1.262％高边缘DRS EVM，槽1：1.297％低边缘PUSCH EVM，插槽2：1.156％低边缘PUSCH EVM，插槽3：1.260％低边缘DRS EVM，槽2：1.309％低边缘DRS EVM，插槽3：1.089％高边缘PUSCH EVM，槽2：1.137％高边缘PUSCH EVM，插槽3：1.249％高边缘DRS EVM，插槽2：1.321％高边缘DRS EVM，槽3：1.022％低边缘PUSCH EVM，槽4：1.240％低边缘PUSCH EVM，槽5：1.223％低边缘DRS EVM，槽4：1.516％低边缘DRS EVM，插槽5：1.035％高边坡EVM，插槽4：1.232％高边缘PUSCH EVM，插槽5：1.234％高边缘DRS EVM，插槽4：1.442％高边缘DRS EVM，插槽5：1.114％低边缘PUSCH EVM，插槽6：1.308％低边坡EVM，槽7：1.284％低边缘DRS EVM，槽6：1.335％低边缘DRS EVM，插槽7：1.233％高边缘栓塞EVM，插槽6：1.358％高边缘PUSCH EVM，槽7：1.284％高边缘DRS EVM，插槽6：1.445％高边缘DRS EVM，槽7：1.185％低边缘PUSCH EVM，插槽8：1.336％低边缘PUSCH EVM，插槽9：1.289％低边缘DRS EVM，插槽8：0.943％低边缘DRS EVM，插槽9：1.303％高边缘PUSCH EVM，插槽8：1.368％高边缘PUSCH EVM，插槽9：1.282％高边缘DRS EVM，插槽8：0.985％高边缘DRS EVM，槽9：1.255％低边缘PUSCH EVM，插槽10：1.211％低边缘PUSCH EVM，插槽11：1.199％低边缘DRS EVM，槽10：1.244％低边缘DRS EVM，插槽11：1.126％高边缘PUSCH EVM，插槽10：1.211％高边缘PUSCH EVM，槽11：1.203％高边缘DRS EVM，插槽10：1.257％高边缘DRS EVM，插槽11：1.068％低边缘PUSCH EVM，插槽12：1.275％ Low edge PUSCH EVM, slot 13: 1.079% Low edge DRS EVM, slot 12: 1.275% Low edge DRS EVM, slot 13: 1.197% High edge PUSCH EVM, slot 12: 1.298% High edge PUSCH EVM, slot 13: 1.070% High edge DRS EVM, slot 12: 1.187% High edge DRS EVM, slot 13: 1.139% Low edge PUSCH EVM, slot 14: 1.133% Low edge PUSCH EVM, slot 15: 1.253% Low edge DRS EVM, slot 14: 1.287% Low edge DRS EVM, slot 15: 1.014% High edge PUSCH EVM, slot 14: 1.117% High edge PUSCH EVM, slot 15: 1.262% High edge DRS EVM, slot 14: 1.345% High edge DRS EVM, slot 15: 0.980% Low edge PUSCH EVM, slot 16: 1.327% Low edge PUSCH EVM, slot 17: 1.244% Low edge DRS EVM, slot 16: 1.351% Low edge DRS EVM, slot 17: 1.268% High edge PUSCH EVM, slot 16: 1.362% High edge PUSCH EVM, slot 17: 1.193% High edge DRS EVM, slot 16: 1.406% High edge DRS EVM, slot 17: 1.322% Low edge PUSCH EVM, slot 18: 1.370% Low edge PUSCH EVM, slot 19: 1.328% Low edge DRS EVM, slot 18: 1.229% Low edge DRS EVM, slot 19: 1.354% High edge PUSCH EVM, slot 18: 1.359% High edge PUSCH EVM, slot 19: 1.341% High edge DRS EVM, slot 18: 1.132% High edge DRS EVM, slot 19: 1.430% Averaged low edge PUSCH EVM, frame 0: 1.251% Averaged high edge PUSCH EVM, frame 0: 1.251% Averaged PUSCH EVM frame 0: 1.251% Averaged DRS EVM frame 0: 1.238% Low edge PUSCH EVM, slot 0: 1.402% Low edge PUSCH EVM, slot 1: 1.343% Low edge DRS EVM, slot 0: 1.272% Low edge DRS EVM, slot 1: 1.157% High edge PUSCH EVM, slot 0: 1.372% High edge PUSCH EVM, slot 1: 1.358% High edge DRS EVM, slot 0: 1.310% High edge DRS EVM, slot 1: 1.122% Low edge PUSCH EVM, slot 2: 1.292% Low edge PUSCH EVM, slot 3: 1.235% Low edge DRS EVM, slot 2: 1.273% Low edge DRS EVM, slot 3: 1.502% High edge PUSCH EVM, slot 2: 1.245% High edge PUSCH EVM, slot 3: 1.199% High edge DRS EVM, slot 2: 1.280% High edge DRS EVM, slot 3: 1.527% Low edge PUSCH EVM, slot 4: 1.410% Low edge PUSCH EVM, slot 5: 1.114% Low edge DRS EVM, slot 4: 1.464% Low edge DRS EVM, slot 5: 1.195% High edge PUSCH EVM, slot 4: 1.426% High edge PUSCH EVM, slot 5: 1.141% High edge DRS EVM, slot 4: 1.513% High edge DRS EVM, slot 5: 1.159% Low edge PUSCH EVM, slot 6: 1.262% Low edge PUSCH EVM, slot 7: 1.288% Low edge DRS EVM, slot 6: 1.376% Low edge DRS EVM, slot 7: 0.913% High edge PUSCH EVM, slot 6: 1.288% High edge PUSCH EVM, slot 7: 1.305% High edge DRS EVM, slot 6: 1.361% High edge DRS EVM, slot 7: 0.900% Low edge PUSCH EVM, slot 8: 1.445% Low edge PUSCH EVM, slot 9: 1.256% Low edge DRS EVM, slot 8: 1.360% Low edge DRS EVM, slot 9: 1.308% High edge PUSCH EVM, slot 8: 1.452% High edge PUSCH EVM, slot 9: 1.298% High edge DRS EVM, slot 8: 1.397% High edge DRS EVM, slot 9: 1.296% Averaged overall PUSCH EVM: 1.251% Averaged overall DRS EVM: 1.238%