LTE上行链路EVM和带内排放量度测量

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此示例显示了LTE工具箱™如何用于在每个TS 36.101附件F上执行误差矢量幅度（EVM）和带内部发射测量值[1].

介绍

TS 36.101附件F[1]为上行链路传输，EVM和带内排放定义两个测量值：

EVM用作接收信号星座误差的量度。EVM被定义为理想接收波形和用于分配资源块的测量波形之间的差异。平均EVM在时间（低和高）的两个位置测量，其中低位置和高位置对应于循环前缀的开始和结束内的FFT窗口的对准。LTE工具箱需要将低点和高位置指定为循环前缀长度的一小部分。

使用参考测量信道（RMC）和随机物理上行上行共享信道（PUSCH）数据来创建用户设备（UE）传输，并通过将添加剂噪声引入模型发射机EVM和频率和IQ偏移来损害。在计算EVM和带内排放功能之前，发送的波形是同步的。

发射机

生成RMC功能Ltermcul.创建特定于给定固定参考通道（FRC）的给定UE设置的配置结构。这种结构被使用ltermiultool.生成具有随机PUSCH数据的UE传输。

％设置用于0的随机数发生器的种子rng（0）；％UE配置，TS36.101 FRCfrc = ltermcul（“A3-1”)；frc.PUSCH.RVSeq=0；％冗余版本frc.totsubframes = 15;生成的子帧总数％使用随机PUSCH数据创建UE传输txwaveform = ltermcultool（frc，randi（[0 1]，frc.pusch.trblksizes（1），1））;

损伤建模

将损伤添加到传输中以模拟正在测试的设备：

1.2%发射EVM模型与加性噪声。
33 Hz频率偏移。
0.01 - 0.005J IQ偏移量

%带加性噪声的EVM模型SCFDMAINFO = LTESCFDMAINFO（FRC）;txevmpc = 1.2;％期望传输EVM以百分比EVMMODEL = TXEVMPC /（100 * SQRT（DOUBLE（SCFDMAINFO.NFFT）））*......复杂（Randn（尺寸（txwaveform）），randn（尺寸（txwaveform））/ sqrt（2）;rxwaveform = txwaveform + EVMMODEL;％将频率偏移损伤添加到接收波形foffset = 33.0;赫兹的％频率偏移量t =（0：长度（rxwaveform）-1）。'/ scfdmainfo.samplingrate;rxwaveform = rxwaveform。* exp（1i * 2 * pi * foffset * t）;%添加IQ偏移量iqoffset =复杂（0.01，-0.005）;rxwaveform = rxwaveform + iqoffset;

接受者

接收的波形同步以允许执行测量

％施加频率估计和校正以表演的目的%定时同步foffset_est = ltefrequencyOffset（frc，rxwaveform）;rxwaveformfreqcorrected =.......ltefrequencycorrect（frc，rxwaveform，foffset_est）;％同步到接收的波形offset = lteulframeoffset（frc，frc.pusch，rxwaveformfreqcorrited）;rxwaveform = rxwaveform（1 + offset：结束，:);

测量

PUSCH EVM，PUSCH DRS EVM和带内排放通过呼叫来计算hPUSCHEVM。

EVM结果和每个传感器的绝对带内发射 $\ delta_ {rb}$ 并显示槽位号。 $\ delta_ {rb}$ 是已分配资源块（RB）和测量的未分配RB之间的起始频率偏移，即。 $\ delta_ {rb} = 1$ 对于分配带宽之外的第一个相邻RB。还生成了多个图：

EVM与OFDM符号
EVM与子载波
EVM与资源块
EVM与OFDM符号和子载波（即EVM资源网格）

注意，根据LTE标准，仅在分配的PUSCH资源块中计算在命令窗口处显示的EVM测量。EVM图在所有资源块（分配或未分配）上显示，允许查看带内的排放。在未分配的资源块中，假设所接收的资源元素具有零值的预期值来计算EVM。

QPSK / BPSK，16QAM，64QAM和256QAM调制的每个E-UTRA载体的EVM不应超过STS 36.101表6.5.2.1.1-1的EVM水平分别为17.5％，12.5％，8％和3.5％[1].

％compute EVM和带内排放量[EVMPUSCH，EVMDRS，排放，绘图] = HPUSCHEVM（FRC，RxWAVEFORM）;%绘制绝对波段内排放量如果（〜isempty（exusions.deltarb））HPUSCHEVMEMISSIONSPLOT（排放）;结尾

低边缘PUSCH维生素,槽0:1.231%低边缘PUSCH维生素,插槽1:1.231%低边缘DRS维生素与槽0:1.298%低边缘DRS维生素与插槽1:1.266%高边缘PUSCH维生素,槽0:1.189%高边缘PUSCH维生素,插槽1:1.221%高边缘DRS维生素与槽0:1.262%高边缘DRS维生素与插槽1:1.297%低边缘PUSCH维生素,槽2:1.156%低边缘PUSCH维生素,槽3:1.260%低边DRS维生素、槽2:1.309%低边缘DRS维生素与槽3:1.089%高边缘PUSCH维生素,槽2:1.137%高边缘PUSCH维生素,槽3:1.249%高边缘DRS维生素与槽2:1.321%高边缘DRS维生素与槽3:1.022%低边缘PUSCH维生素,槽4:1.240%低边缘PUSCH维生素,槽5:1.223%低边缘DRS维生素与槽4:1.516%低边缘DRS维生素与槽5:1.035%高边缘PUSCH维生素,槽4:1.232%高边缘PUSCH维生素,槽5:1.234%高边缘DRS维生素与槽4:1.442%高边缘DRS维生素与槽5:1.114%低边缘PUSCH维生素,槽6:1.308%低边缘PUSCH维生素,槽7:1.284%低边缘DRS维生素与槽6:1.335%低边缘DRS维生素与槽7:1.233%高边缘PUSCH维生素,槽6:1.358%高边缘PUSCH维生素,槽7:1.284%高边缘DRS维生素、槽6:1.445%高边缘DRS维生素与槽7:1.185%低边缘PUSCH维生素,槽8:1.336%低边缘PUSCH维生素,槽9:1.289%低边缘DRS维生素与槽8:0.943%低边缘DRS维生素与槽9:1.303%高边缘PUSCH维生素,槽8:1.368%高边缘PUSCH维生素,槽9:1.282%高边缘DRS维生素与槽8:0.985%高边缘DRS维生素与槽9:1.255%低边缘PUSCH维生素,槽10:1.211%低边缘PUSCH维生素,槽11:1.199%低边缘DRS维生素与槽10:1.244%低边缘DRS维生素与槽11:1.126%高边缘PUSCH维生素,槽10:1.211%高边缘PUSCH维生素,槽11:1.203%高边缘DRS维生素与槽10:1.257%高边缘DRS维生素与槽11:1.068%低边缘PUSCH维生素,槽12:1.275%低边缘PUSCH维生素,插槽13:1.079%低边缘DRS维生素与槽12:1.275%低边缘DRS维生素与插槽13:1.197%高边缘PUSCH维生素,槽12:1.298%高边缘PUSCH维生素,插槽13:1.070%高边缘DRS维生素与槽12:1.187%高边缘DRS维生素与插槽13:1.139%低边缘PUSCH维生素,插槽14:1.133%低边缘PUSCH维生素,槽15:1.253%低边DRS维生素,插槽14:1.287%低边缘DRS维生素与槽15:1.014%高边缘PUSCH维生素,插槽14:1.117%高边缘PUSCH维生素,槽15:1.262%高边缘DRS维生素与槽14:1.345%高边缘DRS维生素与槽15:0.980%低边缘PUSCH维生素,槽16:1.327%低边缘PUSCH维生素,槽17:1.244%低边缘DRS维生素与槽16:1.351%低边DRS维生素、槽17:1.268%高边缘PUSCH维生素,槽16:1.362%高边缘PUSCH维生素,槽17:1.193%高边缘DRS维生素与槽16:1.406%高边缘DRS维生素与槽17:1.322%低边缘PUSCH维生素,槽18:1.370%低边缘PUSCH维生素,槽19:1.328%低边缘DRS维生素与槽18:1.229%低边缘DRS维生素与槽19:1.354%高边缘PUSCH维生素,槽18:1.359%高边缘PUSCH维生素,槽19:1.341%高边缘DRS维生素与槽18:1.132%高边缘DRS维生素与槽19:1.430%平均挣值管理优势PUSCH都低,0:帧平均高1.251%边缘PUSCH维生素,帧0:1.251%平均PUSCH维生素与帧0:1.251%平均DRS维生素与帧0:1.238%低边缘PUSCH维生素,槽0:1.402%低边缘PUSCH维生素,插槽1:1.343%低边缘DRS维生素与槽0:1.272%低边缘DRS维生素与插槽1:1.157%高边缘PUSCH维生素,槽0:1.372%高边缘PUSCH维生素,插槽1:1.358%高边缘DRS维生素与槽0:1.310%高边缘DRS维生素与插槽1:1.122%低边缘PUSCH维生素,槽2:1.292%低边缘PUSCH维生素,槽3:1.235%低边缘DRS维生素与槽2: 1.273% Low edge DRS EVM, slot 3: 1.502% High edge PUSCH EVM, slot 2: 1.245% High edge PUSCH EVM, slot 3: 1.199% High edge DRS EVM, slot 2: 1.280% High edge DRS EVM, slot 3: 1.527% Low edge PUSCH EVM, slot 4: 1.410% Low edge PUSCH EVM, slot 5: 1.114% Low edge DRS EVM, slot 4: 1.464% Low edge DRS EVM, slot 5: 1.195% High edge PUSCH EVM, slot 4: 1.426% High edge PUSCH EVM, slot 5: 1.141% High edge DRS EVM, slot 4: 1.513% High edge DRS EVM, slot 5: 1.159% Low edge PUSCH EVM, slot 6: 1.262% Low edge PUSCH EVM, slot 7: 1.288% Low edge DRS EVM, slot 6: 1.376% Low edge DRS EVM, slot 7: 0.913% High edge PUSCH EVM, slot 6: 1.288% High edge PUSCH EVM, slot 7: 1.305% High edge DRS EVM, slot 6: 1.361% High edge DRS EVM, slot 7: 0.900% Low edge PUSCH EVM, slot 8: 1.445% Low edge PUSCH EVM, slot 9: 1.256% Low edge DRS EVM, slot 8: 1.360% Low edge DRS EVM, slot 9: 1.308% High edge PUSCH EVM, slot 8: 1.452% High edge PUSCH EVM, slot 9: 1.298% High edge DRS EVM, slot 8: 1.397% High edge DRS EVM, slot 9: 1.296% Averaged overall PUSCH EVM: 1.251% Averaged overall DRS EVM: 1.238%