行为建模或黑盒建模并不要求您提供模型中所有物理系统的规范。建模的类型取决于组件或系统的输入和输出度量。
在RF PCB工具箱™中,您可以:
对PCB组件进行行为分析斯帕纳氏菌
函数与行为
属性设置为true。
使用该方法将PCB组件转换为行为PCB元素pcbElement
对象。
支持行为建模的组件和形状是:金宝app
弯曲 |
笔记 这 |
痕迹 |
笔记 这 |
传输线对象 | |
电感器 | 螺丝挡板 |
电容器 | InterditigitalCapacitor. |
与全波电磁(EM)建模相比,行为建模的主要优点是您可以使用行为建模更快地分析PCB组件。
考虑具有默认属性的争端电容。计算此组件的S参数。
电容= InterdigitalCapacitor;TIC Sparameters(电容器,4E9)TOC
ans = Parameters: S-parameters object NumPorts: 2 frequency: 4.0000e+09 Parameters: [2×2 double] Impedance: 50 rfparam(obj,i,j) returns S-parameter Sij Elapsed time is 176.844515 seconds。
S参数功能需要176.9
运行秒数。
现在使用该电容器的S参数计算行为
财产斯帕纳氏菌
功能设置为true。
电容= InterdigitalCapacitor;TIC Sparameters(电容器,4E9,行为=真)TOC
ans = sparameters:s参数对象数字:2频率:4.0000e + 09参数:[2×2双]阻抗:50 rfparam(obj,i,j)返回s-parameter sij经过时间为0.295000秒。
S参数功能需要0.30
秒。
控件可以将PCB组件转换为行为PCB元素pcbElement
对象,然后将此PCB元素添加到RF Toolbox™电路对象。您只能转换支持行为分析的PCB组件对行为PCB元素。金宝app有关支持行为分析的完整对象和形状列表,请参阅介绍。金宝app
创建两个渐变电容器的RF工具箱电路对象。在第二电容器中使用第一电容中的行为模型和全波模型。
ckt =电路;C1 = InterdigitalCapacitor;C2 = InterdigitalCapacitor('numfingers',3);p = pcbelement(c2,'行为的',错误的);添加(CKT,[1 2 0 0],C1))% default pcelement自动创建添加(ckt,[2 3 0 0],p)setports(ckt,[1 0],[3 0])Tic S = Sparameters(CKT,8E9)TOC
s =秒表:S参数对象数字:2频率:8.0000E + 09参数:[2×2双]阻抗:50 rfparam(obj,i,j)返回s-parameter sij经过的时间为1.997850秒。
S参数功能需要1.9
秒。
现在用两个电容器作为全波模型电路元件计算电路的S参数。
ckt =电路;C1 = InterdigitalCapacitor;C2 = InterdigitalCapacitor('numfingers',3);p1 = pcbelement(c1,'行为的',错误的);p2 = pcbelement(c2,'行为的',错误的);添加(CKT,[1 2 0 0],P1)% default pcelement自动创建添加(CKT,[2 3 0 0],P2)SetPorts(CKT,[1 0],[3 0])TIC S = Sparameters(CKT,8E9)TOC
s =秒表:S参数对象数字:2频率:8.0000E + 09参数:[2×2双]阻抗:50 rfparam(obj,i,j)返回s-parameter sij经过时间为3.482307秒。
S参数功能需要3.5
秒。
比较两个电路显示计算S参数所花费的少量差异。现在考虑具有许多PCB组件的整个PCB板。您可以对几乎所有非关键组件和PCB板的关键组件上的全波建模执行行为建模。