作为带通滤波器的微带间数字电容模型与分析

叉指电容器（IDC）是一种多指周期结构，常用于射频或微波开发的微带微波集成电路中。叉指电容器利用导电指之间的窄间隙产生的电容。它们根据应用程序进行优化。

这个例子展示了在3.5 GHz到3.9 GHz频率范围内显示带通响应的数字间电容的分析。在微带馈线的脱嵌效应和不脱嵌效应的作用下，计算了在要求范围内的电容。

创建一个跨数字电容并将其形象化。

obj = interdigitalCapacitor;图;显示(obj);

使用sparameters函数来计算s参数并使用rfplot函数，以了解所设计电容器的行为。

频率= linspace (2 e9 8 e9 51);晶石= sparameters (obj,频率);图;rfplot(石膏);

s参数图表明，在3.5 ~ 3.9 GHz频段内插入损耗最小，表现出类频带特性。该电容器在这个频率范围内表现出低衰减。

这些类型的电容器用于射频耦合或直流块，当信号通过它们时，电容器应该有最小的衰减和反射。

分析了电容器不脱包馈线效应的措施电容功能从3.5 GHz到3.9 GHz。使用网格功能手动对结构进行网格划分。

图;网格(obj,“MaxEdgeLength”, 0.0017)

freq=linspace（3.5e9,3.9e9,21）；图形电容（obj，频率，“DeEmbed”, 0)

在3.82 GHz处，由于馈线的影响，出现了一个突然的尖峰。此外，为了消除这种影响，必须启用电容方法中的DeEmbed选项。

图;电容(obj,频率,“DeEmbed”, 1)

因此，通过去嵌入馈线的影响，它减去了由于馈线而添加的额外相位。在3.5 ~ 3.9 GHz的频率范围内，电容约为1pf ~ 1.5 pF。

电容器的电容可以通过不同的选择来分析在期望的频率范围内的电容，例如去嵌入馈线效应和通过启用电容法的选项来包括寄生效应。