主要内容

功率放大器

型号功率放大器与存储器

  • 图书馆:
  • 射频模块集/电路包络/元件

  • 功率放大器块

描述

功率放大器块模型双端口功率放大器。从Volterra系列导出的存储器多项式表达式模型输入和输出信号之间的非线性关系。该功率放大器包括存储器效果,因为输出响应取决于电流输入信号和前一次的输入信号。在传输宽带或窄带信号时,这些功率放大器非常有用。

参数

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模型类型,指定为记忆多项式广义Hammerstein交叉项的记忆, 或者交叉项汉默斯坦.下表总结了不同模型的特点:

模型 描述数据 系数类型 带内光谱再生 带外谐波发生
记忆多项式(默认) 带通(I,Q) 复杂的 是的 没有
广义Hammerstein 真正的通频带 真正的 是的 是的
交叉项的记忆 带通(I,Q) 复杂的 是的 没有
交叉项汉默斯坦 真正的通频带 真正的 是的 是的

  • 记忆多项式窄带存储多项式实现(式(19))[1])作用于输入信号的包络线,不产生新的频率成分,并捕获带内频谱再生。使用此模型以高频运行的窄带放大器。

    输出信号,在任何时刻,是下列复维矩阵的所有元素的和 内存深度(mem) × 电压顺序(DEG)

    [ C 11. V. 0. C 12. V. 0. | V. 0. | C 1 de V. 0. | V. 0. | de - 1 C 21. V. 1 C 22. V. 1 | V. 1 | C 2 de V. 1 | V. 1 | de - 1 C mem 1 V. mem - 1 C mem 2 V. mem - 1 | V. mem - 1 | C mem de V. mem - 1 | V. mem - 1 | de - 1 ]

    在矩阵中,行数等于存储项的个数,列数等于非线性的程度。信号下标表示延迟量。

  • 广义Hammerstein-这个宽带存储器的多项式实现(方程(18)[1])作用于输入信号的包络线,产生载波频率的整数倍的频率成分,并捕获带内频谱再生。非线性程度的增加会增加产生的带外频率的数量。使用这个模型来创建工作在低频的宽带放大器。

    在任何瞬间的输出信号是以下实际矩阵的所有元素的总和 内存深度(mem) × 电压顺序(DEG)

    [ C 11. V. 0. C 12. V. 0. 2 C 1 de V. 0. de C 21. V. 1 C 22. V. 1 2 C 2 de V. 1 de C mem 1 V. mem - 1 C mem 2 V. mem - 1 2 C mem de V. mem - 1 de ]

    在矩阵中,行数等于存储项的个数,列数等于非线性的程度。信号下标表示延迟量。

  • 交叉项的记忆- 这个窄带内存多项式实现(方程(23)[1])作用于输入信号的包络线,不产生新的频率成分,并捕获带内频谱再生。使用此模型以高频运行的窄带放大器。该模型包括领先和滞后的内存术语,并提供存储器多项式模型的广义实现。

    在任何时刻,输出信号是由元素产品指定的矩阵的所有元素的总和

    C.*M.中医

    在哪里C复系数矩阵的维数是多少 内存深度(mem) × { 内存深度(mem) 电压顺序(DEG) - 1 的) + 1 }

    M. 中医 = [ V. 0. V. 1 V. mem - 1 ] [ 1 | V. 0. | | V. 1 | | V. mem - 1 | | V. 0. | 2 | V. mem - 1 | 2 | V. 0. | de - 1 | V. mem - 1 | de - 1 ] = [ V. 0. V. 0. | V. 0. | V. 0. | V. 1 | V. 0. | V. mem - 1 | V. 0. | V. 0. | 2 V. 0. | V. mem - 1 | 2 V. 0. | V. 0. | de - 1 V. 0. | V. mem - 1 | de - 1 V. 1 V. 1 | V. 0. | V. 1 | V. 1 | V. 1 | V. mem - 1 | V. 1 | V. 0. | 2 V. 1 | V. mem - 1 | 2 V. 1 | V. 0. | de - 1 V. 1 | V. mem - 1 | de - 1 V. mem - 1 V. mem - 1 | V. 0. | V. mem - 1 | V. 1 | V. mem - 1 | V. mem - 1 | V. mem - 1 | V. 0. | 2 V. mem - 1 | V. mem - 1 | 2 V. mem - 1 | V. 0. | de - 1 V. mem - 1 | V. mem - 1 | de - 1 ]

    在矩阵中,行数等于存储项数,列数与非线性程度和存储项数成正比。信号下标表示延迟量。控件中未显示的其他列记忆多项式模型代表横向术语。

  • 交叉项汉默斯坦-这种宽带存储多项式实现在输入信号的包络上运行,产生载波频率的整数倍的频率成分,并捕获带内频谱再生。增加非线性的阶数会增加产生的带外频率的数目。使用这个模型来创建工作在低频的宽带放大器。

    在任何时刻,输出信号是由元素产品指定的矩阵的所有元素的总和

    C.*M.车车

    在哪里C复系数矩阵的维数是多少 内存深度(mem) × { 内存深度(mem) 电压顺序(DEG) - 1 的) + 1 }

    M. 车车 = [ V. 0. V. 1 V. mem - 1 ] [ 1 V. 0. V. 1 V. mem - 1 V. 0. 2 V. mem - 1 2 V. 0. de - 1 V. mem - 1 de - 1 ] = [ V. 0. V. 0. 2 V. 0. V. 1 V. 0. V. mem - 1 V. 0. 3. V. 0. V. mem - 1 2 V. 0. de V. 0. V. mem - 1 de - 1 V. 1 V. 1 V. 0. V. 1 2 V. 1 V. mem - 1 V. 1 V. 0. 2 V. 1 V. mem - 1 2 V. 1 V. 0. de - 1 V. 1 V. mem - 1 de - 1 V. mem - 1 V. mem - 1 V. 0. V. mem - 1 V. 1 V. mem - 1 2 V. mem - 1 V. 0. 2 V. mem - 1 3. V. mem - 1 V. 0. de - 1 V. mem - 1 de ]

    在矩阵中,行数等于存储项数,列数与非线性程度和存储项数成正比。信号下标表示延迟量。控件中未显示的其他列广义Hammerstein模型代表横向术语。

系数矩阵,指定为复矩阵记忆多项式交叉项的记忆模型和作为一个真正的矩阵广义Hammerstein交叉项汉默斯坦模型。

  • 记忆多项式交叉项的记忆模型,可以基于测量的复合体(I,Q)输出-VS.输入放大器特性来识别复杂系数矩阵。例如,请参阅辅助功能系数矩阵的计算

  • 广义Hammerstein交叉项汉默斯坦模型中,你可以根据实测的实通频带输出-vs来确定实系数矩阵。固化放大器的特点。

矩阵的大小取决于时滞的个数和系统非线性的程度。

  • 记忆多项式广义Hammerstein模型,矩阵具有尺寸 内存深度(mem) × 电压顺序(DEG)

  • 交叉项的记忆交叉项汉默斯坦模型,矩阵具有尺寸 内存深度(mem) × { 内存深度(mem) 电压顺序(DEG) - 1 的) + 1 }

用于识别系数矩阵的输入输出数据的采样间隔指定为真正的正标量。

如果系数采样时间与配置块中指定的模拟步骤大小不同,则可能会影响模型的准确性。为获得最佳效果,请使用至少与仿真步长的系数采样时间一样大。

输入电阻,指定为实正标量。

输出电阻,指定为实正标量。

选择此参数进行地面并隐藏负端子。清除参数以暴露负端子。通过曝光这些终端,您可以将它们连接到模型的其他部分。

提示

  • 为避免非线性功率放大器在一个不受欢迎的区域中运行,即Simulink金宝app®输入信号必须缩放。当RF域中的非线性功率放大器用于放大Simulink信号时,会发生这种情况。金宝app

算法

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兼容性的考虑

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行为在R2021b中改变

参考文献

[1] Morgan, Dennis R., Ma Zhengxiang, Jaehyeong Kim, Michael G. Zierdt, John Pastalan。功率放大器数字预失真的广义记忆多项式模型。IEEE.®信号处理汇刊.第54卷第10期,2006年10月,3852-3860页。

Gan, Li和Emad Abd-Elrady。使用直接和间接学习架构的记忆多项式系统的数字预失真在第十一届IASTED信号与图像处理国际会议论文集(F. Cruz-Roldán和N.B.Smith,Eds。),美国专利号654-802。卡尔加里,AB:Acta Press,2009年。

介绍在R2017B.