主要内容

EVM测量5G NR PDSCH波形

该示例演示了如何测量NR测试模型(NR- tm)或固定参考信道(FRC)波形的误差矢量幅值(EVM)。该示例还展示了如何添加损害,包括相位噪声和无记忆非线性。

介绍

对于基站RF测试,3GPP 5G NR标准定义了一组NR-TM波形。对于用户设备(UE)测试,标准定义了一组FRC波形。频率范围1(FR1)的NR-TMS和FRC在TS 38.141-1中定义,而频率范围2(FR2)的NR-TMS和FRC在TS 38.141-2中定义。

此示例显示如何生成NR波形(TM或FRC)并添加损伤。在这里,我们考虑相位噪声和无记忆非线性。然后,我们计算所得信号的EVM。我们绘制每个OFDM符号,插槽和子载波的RMS和峰值EVM。我们还计算整体EVM(RMS EVM在完整波形上平均)。TS 38.104的附录B和附件C分别定义了用于计算FR1和FR2中EVM的替代方法。下图显示了在该示例中实现的处理链。

仿真参数

每个NR-TM或FRC波形由以下组合定义:

  • NR-TM / FRC名称

  • 信道带宽

  • 副载波间距

  • 双工模式

%为FR1和FR2选择15版nr - tm中的一个:%”NR-FR1-TM1.1”、“NR-FR1-TM1.2”、“NR-FR1-TM2”,%”NR-FR1-TM2a”、“NR-FR1-TM3.1”、“NR-FR1-TM3.1a”,%”NR-FR1-TM3.2”、“NR-FR1-TM3.3”、“NR-FR2-TM1.1”,%“NR-FR2-TM2”,“NR-FR2-TM3.1”% 要么%为FR1和FR2选择15版frc中的一个:%”DL-FRC-FR1-QPSK”、“dl - frc - fr1 - 64 - qam”,%“DL-FRC-FR1-256QAM”,“DL-FRC-FR2-QPSK”,%“DL-FRC-FR2-16QAM”,“DL-FRC-FR2-64QAM”rc =“NR-FR1-TM3.2”%参考通道(NR-TM或FRC)%选择NR波形参数BW =“10MHz”%通道带宽scs =“30khz”%副载波间距dm =“FDD”%双工模式

对于TMS,所生成的波形可以包含多于一个PDSCH。选择的PDSCH分析是基于RNTI。缺省情况下,考虑以下RNTIS用于EVM计算:

  • nr - fr1 - t2: rnti = 2 (64qam evm)

  • NR-FR1-TM2a: RNTI = 2 (256QAM EVM)

  • NR-FR1-TM3.1: RNTI = 0 and 2 (64QAM EVM)

  • NR-FR1-TM3.1a: RNTI = 0 and 2 (256QAM EVM)

  • NR-FR1-TM3.2:RNTI = 1(16QAM EVM)

  • NR-FR1-TM3.3:RNTI = 1(QPSK EVM)

  • NR-FR2-TM2:RNTI = 2(64QAM EVM)

  • NR-FR2-TM3.1:RNTI = 0和2(64QAM EVM)

根据规范(TS 38.141-1, TS 38.141-2),这些TMs不是设计来执行EVM测量的:NR-FR1-TM1.1, NR-FR1-TM1.2, NR-FR2-TM1.1。但是,如果您生成了这些TMs,则示例将度量以下rtis的EVM。

  • Nr-fr1-tm1.1: rnti = 0 (qpsk evm)

  • NR-FR1-TM1.2:RNTI = 2(QPSK EVM)

  • NR-FR2-TM1.1:RNTI = 0(QPSK EVM)

对于FRC,默认情况下,考虑RNTI 0进行EVM计算。如果输入波形既不是TM也不是FRC波形,则支持EVM测量的最大一层。金宝app

该示例计算上面列出的rtis的EVM。要覆盖默认的rtis,请指定targetrntis.向量

targetrntis = [];

打印EVM统计信息,设置displayEVM真的.若要禁用打印,请设置displayEVM错误的.要绘制EVM统计数据,请设置plotEVM真的.若要禁用绘图,请设置plotEVM错误的

displayevm = true;plotevm = true;
如果displayevm fprintf('参考通道=%s \ n',rc);结束
参考通道= NR-FR1-TM3.2

测量在TS 38.104中定义的EVM,附件B(FR1)/附件C(FR2),设置EVM3GPP.真的EVM3GPP.默认禁用。

EVM3GPP = FALSE;

创建波形生成器对象并生成波形

tmwavegen = hNRReferenceWaveformGenerator (rc, bw, scs, dm);[txWaveform, tmwaveinfo resourcesinfo] = generateWaveform (tmwavegen tmwavegen.Config.NumSubframes);

障碍:相位噪声和非线性

这个例子考虑了两个缺陷:相位噪声和无记忆非线性。通过切换标志启用或禁用损害phaseNoiseOnnonlinearitymodelon.

phaseNoiseOn = true;nonLinearityModelOn = true;

标准化波形以适合非线性的动态范围。

txwaveform = txwaveform / max(abs(txwaveform),[],'全部');

波形由用于TDD的FDD和两个帧组成。重复信号两次。我们将取下所产生波形的前半部分以避免相位噪声模型引入的瞬态。

txwaveform = Repmat(TxWaveForm,2,1);

引入相位噪声失真。图中显示了相位噪声特性。所考虑的载波频率取决于频率范围。我们对FR1和FR2分别使用4 GHz和28 GHz的值。相位噪声特性是由R1-163984“相位噪声建模讨论”中描述的极点/零模型产生的。

如果phasenoiseon sr = tmwaveinfo.info.samplingrate;%载波频率如果tmwavegen.config.frequencyRange ==.“fr1”FR1的%载波频率fc = 4 e9;别的FR2的%载波频率FC = 30E9;结束%计算相位噪声水平。foffsetlog =(4:0.1:log10(SR / 2));从1e3Hz到sr/2的模型偏移%foffset = 10。^ foffsetLog;%线性频率偏移PN_dBc_Hz = hPhaseNoisePoleZeroModel (foffset、fc、“C”);数字;semilogx(foffset,pn_dbc_hz);包含(频率偏移(Hz)”);ylabel (“dBc /赫兹”);标题(“相位噪声模型”);网格%将相位噪声施加到波形pnoise = comm.phaseNoise('surformoffset',foffset,“水平”PN_dBc_Hz,“SampleRate”、sr);pnoise。RandomStream =“MT19937AR与种子”;rxWaveform = 0(大小(txWaveform),'像', txWaveform);rxWaveform(:,i) = pnoise(txWaveform(:,i)); / / rxWaveform(:,i)发行版(pnoise)结束别的rxwaveform = txwaveform;%#OK 结束

引入非线性失真。对于此示例,请使用RAPP模型。该图显示了引入的非线性。设置RAPP模型的参数,以匹配TR 38.803“记忆多项式模型 - 附件A.1”的记忆型号的特性。

如果nonlinearitymodelon rapp = comm.memorylessnonlinity(“方法”“拉普模式”);拉普。平滑度= 1.55;拉普。OutputSaturationLevel = 1;%绘图非线性特征plotnonlinearcharactery(rapp);%申请非线性i = 1:大小(rxwaveform,2)rxwaveform(:,i)= rapp(rxwaveform(:,i));释放(RAPP)结束结束

先前将信号重复两次。删除该信号的前半部分。这避免了损伤模型引入的任何瞬态。

如果DM ==.“FDD”nframes = 1;别的%TDD.nframes = 2;结束rxWaveform (: 1: nFrames * tmwaveinfo.Info.SamplesPerSubframe * 10日)= [];

测量

hNRPDSCHEVM函数执行以下步骤来解码和分析波形:

  • 使用DM-RS同步FDD的一帧(TDD的两帧)

  • OFDM解调接收波形

  • 信道估计

  • 均衡

  • 常见相位误差(CPE)估计和补偿

  • PDSCH EVM计算(启用交换机EVM3GPP.,根据TS 38.104,附件B(FR1)/附件C(FR2)中规定的EVM测量要求进行处理。

该示例测量并输出每个符号、每个槽、每个帧峰值EVM和RMS EVM的各种EVM相关统计信息。该示例显示了每个插槽和帧的EVM。它还显示整个输入波形上的EVM平均值。该示例生成了许多图:EVM vs每个OFDM符号、槽、子载波和总体EVM。每个图显示峰值与RMS EVM。

cfg =结构();cfg。Evm3GPP = Evm3GPP;cfg。TargetRNTIs = TargetRNTIs;cfg。PlotEVM = PlotEVM;cfg。DisplayEVM = DisplayEVM;cfg。Label = tmwavegen.ConfiguredModel{1};计算和显示EVM测量值[evminfo,eqsym,recsym] = hnrpdschevm(tmwavegen.config,rxwaveform,cfg);
RMS EVM,峰值EVM,插槽0:3.929 20.636%RMS EVM,峰值EVM,插槽1:3.779 13.962%RMS EVM,峰EVM,槽2:3.683 10.465%RMS EVM,峰值EVM,槽3:3.679 12.549%RMS EVM,峰值EVM,插槽4:4.169 17.878%RMS EVM,峰值EVM,槽5:4.053 17.728%RMS EVM,峰值EVM,槽6:3.960 15.706%RMS EVM,峰值EVM,槽7:4.031 14.790%RMS EVM,峰值EVM,插槽8:3.799 14.443%RMS EVM,峰值EVM,插槽9:3.803 12.730%RMS EVM,峰值EVM,槽10:3.946 14.595%RMS EVM,峰值EVM,槽11:3.661 14.484%RMS EVM,峰值EVM,峰值EVM,峰值EVM,插槽12:3.773 13.534%RMS EVM,峰值EVM,插槽13:3.930 17.440%RMS EVM,峰值EVM,槽14:3.754 12.184%RMS EVM,峰值EVM,槽15:3.832 17.780%RMS EVM,峰值EVM,SLOT 16:3.774 14.530%RMS EVM,峰值EVM,槽17:3.950 14.131%RMS EVM,峰值EVM,槽18:3.948 18.886%RMS EVM,峰EVM,峰值EVM,Slot 19:3.871 13.786%平均RMS EVM帧0:3.868%平均总体RMS EVM:3.868%总峰EVM = 20.6363%

本地功能

功能plotNonLinearCharacteristic (memoryLessNonlinearity)%绘制功率放大器(PA)损伤的非线性特性%由输入参数内存编号表示,这是一个% comm.无内存非线性通信工具箱(TM)系统对象。%的输入样本x =复合物((1 / sqrt(2))*( -  1 + 2 * rand(1000,1),(1 / sqrt(2))*( -  1 + 2 * rand(1000,1)));%非线性YRAPP = MemorylessNonlineARITY(X);%释放对象以馈送它不同数量的样本释放(记忆Nononlinity);%的情节特征数字;绘图(10 * log10(abs(x)。^ 2),10 * log10(abs(x)。^ 2));抓住;网格图(10 * log10 (abs (x) ^ 2), 10 * log10 (abs (yRapp) ^ 2),“。”);包含(输入功率(瓦分贝)”);ylabel ('输出功率(DBW)');标题('非线性障碍')传说(线性特性的'rapp nonlinearity''地点'“西北”);结束

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