复合三相端口与扩展三相端口的比较。第一电路显示配置有复合三相端口的电压源。Phase Splitter模块提供了与Simscape™基础库电气元件的接口。第二电路显示了配置有扩展三相端口的电压源，该端口可以直接连接到Simscape基础库电气元件。通过使用右键单击上下文菜单上的Simscape块选择选项，电压源可以从复合改为扩展三相端口。

如何使用控制PWM电压和h桥块控制电机。直流电机块使用制造商数据表参数，指定电机在2500 rpm时提供10W机械功率，当从12V直流电源运行时，空载速度为4000 rpm。因此，如果PWM参考电压被设置为其最大值+5V，那么电机应该以4000转/分钟运行。如果它被设置为+2.5V，那么它应该以大约2000 rpm运行。对于受控PWM电压和h桥模块，仿真模型参数均设置为平均值，仿真速度快。为了验证平均行为，改变仿真模式参数到PWM在两个块。

一个使用两个运放的三角波产生电路的实现。电路的第一级是由运放构成的比较器。比较器的输出被两个齐纳二极管限制在正负5伏左右。齐纳二极管施加的限制产生方波。

用于a - d转换器的抗混叠滤波器的模拟实现。滤波器截止频率设置为500Hz，以匹配a - d转换器的采样频率1kHz。测试信号包含所需的50Hz正弦波和1100Hz的更高频率分量，1kHz a - d采样频率无法捕获。该示波器显示捕获的信号没有和抗锯齿。使用抗混叠滤波器，50Hz的正弦波振幅以1的振幅和0.5W的功率正确测量，即对于1欧姆的参考负载，27dBm。

控制四象限直升机。控制子系统实现了一个简单的基于pi的控制算法来控制输出电流。采用平均值斩波器模型加速仿真。模拟使用了正面和负面的参考。总仿真时间(t)为1 s。在t = 0.5 s时，负载直流源E的极性发生变化。

控制降压转换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统采用基于pi的控制算法。在整个仿真过程中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总的模拟时间(t)为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载发生变化。

在动力辅助汽车转向系统中，采用永磁同步电机放大驾驶员施加的力。

如何利用一个简单的代表性模型来探索旋转能量清除器的性能。电能是由附在直流电动机轴上的偏心质量产生的。质量、几何形状、电机和电气参数必须与期望的机械激励相匹配。产生的电力小于提取的机械功率，主要是由于电机绕组损耗和转子的粘性阻尼。这个例子是基于K。“基于构造互联和阻尼分配的无源控制及其应用”，伦敦帝国理工学院(2014)。简化了模型，省去了直流-直流变换器。

在绝缘栅双极晶体管(IGBT)中，基于开关损耗和传导损耗的温度分布的产生。有两个降压转换器。对于一个转换器，IGBT连接到福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT连接到一个Cauer热模型。对热模型的参数进行了调整，以得到大致等效的结果。在50ms的仿真时间内，驱动频率从40kHz变为20kHz，增加了导通损耗，降低了开关损耗。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

自定义频率依赖传输线模型。首先由频率相关的电阻、电抗和电纳导出特性导纳和传播函数。导出的值用射频工具箱™．通用线模型[1]然后在Simscape™基于拟合参数。比较了频变传输线模型和经典pi截面传输线模型的计算结果。

在绝缘栅双极晶体管(IGBT)中，基于开关损耗和传导损耗的温度分布的产生。有两个降压转换器。对于一个转换器，IGBT连接到福斯特热模型。对于另一个转换器，IGBT连接到一个Cauer热模型。对热模型的参数进行了调整，以得到大致等效的结果。在50ms的仿真时间内，驱动频率从40kHz变为20kHz，增加了导通损耗，降低了开关损耗。损耗的变化导致IGBT温度的相应变化。

Peltier装置工作在冷却模式下，热侧温度为50℃。在冷却模式下，Peltier电池的性能系数(COP)等于通过热电冷却器(TEC)传递的总热量除以电输入功率，COP = Qc/Pin。

通过在磁路中使用非线性磁阻块建立一个显示磁滞的自定义变压器模型。变压器额定负载为50W，有效值从120V降至12V。利用涡流损耗块在磁域中模拟磁化电阻Rm。

一个脉冲宽度调制(PWM)输出实现使用555定时器在稳定模式。占空比由电位器P1设定。电位器在运行时通过占空比控制旋钮进行控制。scope显示555定时器的输出结果。要结束模拟，单击Stop按钮。