MATLAB的答案

解决一维半导体用FDTD的漂移扩散模型。谁能纠正这个错误。

7视图(30天)
安Khajotia
安Khajotia 约19小时前
编辑: Torsten 约15小时前
%常数和参数
q = 1.602 e-19; %元电荷
k = 1.38 e-23; %玻耳兹曼常量
eps0 = 8.85 e-12; %真空介电常数
epsr = 11.7; %相对介电常数的硅
Na = 1 e17; %掺杂浓度(p型)
L = 1 e-6; %的半导体
mu_e = 1000 * 1的军医; %电子迁移率
mu_h = 1000 * 1的军医; %空穴迁移率
D_e = k * 300 * mu_e / q; %电子扩散系数
D_h = k * 300 * mu_h / q; %孔扩散系数
T = 300; %的温度
V = 0.1; %外加电压
%的空间和时间参数
nx = 100; %的空间网格点
dx = L / nx; %空间一步
dt = 1 e-9; %时间步
元= 100; %的时间步数
%初始化载体密度和电势
n = 0 (nx, 1); %的电子密度
p = 0 (nx, 1); %孔密度
φ= 0 (nx, 1); %电势
φ(1)= V; %边界条件在x = 0
%模拟循环
为 t = 1: nt
%计算电场
E =(φ(2:结束)-φ(1:end-1)) / dx;
%计算电子和空穴密度
约= q * D_e * (n(3:结束)- n (2: end-1)) / dx - q * mu_e * e * n (2: end-1);
摩根大通= q * D_h * (p(3:结束)- p (2: end-1)) / dx + q * mu_h * e * p (2: end-1);
%更新载体密度
n (2: end-1) = n (2: end-1) + dt * Na. / (1 + exp((φ(2:end-1) - v / 2) / (k * T))) - dt *约;
p (2: end-1) = (2: end-1) + dt * Na. / (1 + exp ((V / 2φ(2:end-1)) / (k * T))) - dt *摩根;
%更新电势
ρ= q * (Na - n - p); %电荷密度
φ(2:end-1) =φ(2:end-1) + dtρ* 1 / (epsr * eps0) * (2: end-1);
结束

在回答这个问题。

答案(1)

明星黾
明星黾 约15小时前
编辑:Torsten 14分钟前
在 “摩根” 和 “约” 计算,相关 “n” 向量是 (98 x1) 而 “E” 是 (99 x1) 。这似乎是问题所在。
我离开你的决议。

类别

找到更多的在半导体在帮助中心和文件交换

标签

社区寻宝

找到宝藏在MATLAB中央,发现社区如何帮助你!

开始狩猎!