DQ限幅器gydF4y2Ba

饱和电压(或电流)gydF4y2BadqgydF4y2Ba参考系gydF4y2Ba

自从R2020agydF4y2Ba

库:gydF4y2Ba
电机控制Blockset /控制/控制参考gydF4y2Ba
电机控制Blockset HDL支持/控制/控制参考金宝appgydF4y2Ba

描述gydF4y2Ba

的gydF4y2BaDQ限幅器gydF4y2Ba块生成饱和值的输入电压(或电流)gydF4y2BadqgydF4y2Ba参考系,取决于指定的饱和极限,饱和的选择方法。gydF4y2Ba

块接受的参考价值gydF4y2BadgydF4y2Ba和gydF4y2Ba问gydF4y2Ba轴电压(或电流)和输出相应的饱和值。块的不饱和峰值还提供了参考gydF4y2BadqgydF4y2Ba电压(或电流),这可以使磁场减弱控制。gydF4y2Ba

请注意gydF4y2Ba

块最多支持128位定金宝app点数据类型的大小。gydF4y2Ba

方程gydF4y2Ba

这些方程描述的计算饱和gydF4y2BadqgydF4y2Ba电压(或电流)值。gydF4y2Ba

DQ等价:gydF4y2Ba

$米gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba {ggydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba \sqrt{{(gydF4y2Ba {dgydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba})gydF4y2Ba}^{2gydF4y2Ba} +gydF4y2Ba {(gydF4y2Ba {问gydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba})gydF4y2Ba}^{2gydF4y2Ba}}$

当gydF4y2Ba $米gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba {ggydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba} >gydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba}$ 。gydF4y2Ba

${dgydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba \frac{{dgydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba}}{米gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba {ggydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba}} \timesgydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba}$
${问gydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba \frac{{问gydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba}}{米gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba {ggydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba}} \timesgydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba}$

当gydF4y2Ba $米gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba {ggydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba} \leqgydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba}$ 。gydF4y2Ba

${dgydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba {dgydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba}$
${问gydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba {问gydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba}$

在那里,gydF4y2BaxgydF4y2Ba_{马克斯gydF4y2Ba}是饱和的限制。gydF4y2Ba

当D-axis优先:gydF4y2Ba

$\begin{array}{l} {dgydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba 最小值gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 马克斯gydF4y2Ba (gydF4y2Ba {dgydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba},gydF4y2Ba -gydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba})gydF4y2Ba,gydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba})gydF4y2Ba \\ {问gydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ggydF4y2Ba ngydF4y2Ba (gydF4y2Ba {问gydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba})gydF4y2Ba \timesgydF4y2Ba 最小值gydF4y2Ba (gydF4y2Ba |gydF4y2Ba {问gydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba} |gydF4y2Ba,gydF4y2Ba |gydF4y2Ba \sqrt{{xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba}^{2gydF4y2Ba} -gydF4y2Ba {(gydF4y2Ba {dgydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba})gydF4y2Ba}^{2gydF4y2Ba}} |gydF4y2Ba)gydF4y2Ba \end{array}$

在那里,gydF4y2BaxgydF4y2Ba_{马克斯gydF4y2Ba}是饱和的限制。gydF4y2Ba

当Q-axis优先:gydF4y2Ba

$\begin{array}{l} {问gydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba 最小值gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 马克斯gydF4y2Ba (gydF4y2Ba {问gydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba},gydF4y2Ba -gydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba})gydF4y2Ba,gydF4y2Ba {xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba})gydF4y2Ba \\ {dgydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba} =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ggydF4y2Ba ngydF4y2Ba (gydF4y2Ba {dgydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba})gydF4y2Ba \timesgydF4y2Ba 最小值gydF4y2Ba (gydF4y2Ba |gydF4y2Ba {dgydF4y2Ba}^{rgydF4y2Ba egydF4y2Ba fgydF4y2Ba} |gydF4y2Ba,gydF4y2Ba |gydF4y2Ba \sqrt{{xgydF4y2Ba}_{马克斯gydF4y2Ba}^{2gydF4y2Ba} -gydF4y2Ba {(gydF4y2Ba {问gydF4y2Ba}^{年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba})gydF4y2Ba}^{2gydF4y2Ba}} |gydF4y2Ba)gydF4y2Ba \end{array}$

在那里,gydF4y2BaxgydF4y2Ba_{马克斯gydF4y2Ba}是饱和的限制。gydF4y2Ba

例子gydF4y2Ba

使用霍尔传感器的磁场定向控制的永磁同步电动机gydF4y2Ba

实现了磁场定向控制(FOC)技术来控制三相永磁同步电动机的速度(永磁同步电动机)。FOC算法需要转子位置反馈,通过霍尔传感器获得。船的详细信息,请参阅磁场定向控制(FOC)。gydF4y2Ba

开放的例子gydF4y2Ba

港口gydF4y2Ba

输入gydF4y2Ba

全部展开gydF4y2Ba

dgydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}- - - - - -gydF4y2Ba参考gydF4y2BadgydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

参考电压(或电流)的价值gydF4y2BadgydF4y2Ba设在的旋转gydF4y2BadqgydF4y2Ba参考系。gydF4y2Ba

数据类型:gydF4y2Ba单gydF4y2Ba|gydF4y2Ba双gydF4y2Ba|gydF4y2Ba不动点gydF4y2Ba

问gydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}- - - - - -gydF4y2Ba参考gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

参考电压(或电流)的价值gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在的旋转gydF4y2BadqgydF4y2Ba参考系。gydF4y2Ba

数据类型:gydF4y2Ba单gydF4y2Ba|gydF4y2Ba双gydF4y2Ba|gydF4y2Ba不动点gydF4y2Ba

satMethodgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和技术gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

块用来启动饱和饱和方法。港接受下列整数的值之一:gydF4y2Ba

1 -优先D-axisgydF4y2Ba
2 -优先Q-axisgydF4y2Ba
其他任何正整数- dq等效方法gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

要启用这个端口,选择gydF4y2Ba输入端口gydF4y2Ba为gydF4y2Ba饱和度的方法gydF4y2Ba参数。gydF4y2Ba

数据类型:gydF4y2Bauint16gydF4y2Ba

satLimgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和限制gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

饱和极限值块使用启动饱和度。港接受值大于或等于0。gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

要启用这个端口,选择gydF4y2Ba输入端口gydF4y2Ba为gydF4y2Ba饱和限制gydF4y2Ba参数。gydF4y2Ba

数据类型:gydF4y2Ba单gydF4y2Ba|gydF4y2Ba双gydF4y2Ba|gydF4y2Ba不动点gydF4y2Ba

输出gydF4y2Ba

全部展开gydF4y2Ba

dgydF4y2Ba^坐gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和gydF4y2BadgydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

饱和电压(或电流)的价值gydF4y2BadgydF4y2Ba设在的旋转gydF4y2BadqgydF4y2Ba参考系。gydF4y2Ba

数据类型:gydF4y2Ba单gydF4y2Ba|gydF4y2Ba双gydF4y2Ba|gydF4y2Ba不动点gydF4y2Ba

问gydF4y2Ba^坐gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

饱和电压(或电流)的价值gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在的旋转gydF4y2BadqgydF4y2Ba参考系。gydF4y2Ba

数据类型:gydF4y2Ba单gydF4y2Ba|gydF4y2Ba双gydF4y2Ba|gydF4y2Ba不动点gydF4y2Ba

玛格gydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}- - - - - -gydF4y2Ba不饱和峰值块输入gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

不饱和输入的峰值电压(或电流)。gydF4y2Ba

数据类型:gydF4y2Ba单gydF4y2Ba|gydF4y2Ba双gydF4y2Ba|gydF4y2Ba不动点gydF4y2Ba

参数gydF4y2Ba

全部展开gydF4y2Ba

饱和度的方法gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和方法选择技术gydF4y2Ba
`指定通过对话框gydF4y2Ba`(默认)|gydF4y2Ba`输入端口gydF4y2Ba`

选择块是否应该使用对话框或输入端口指定饱和的方法。gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

satMethodInputTypegydF4y2Ba

饱和方法选择gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和方法所使用的块gydF4y2Ba
`dq等价gydF4y2Ba`(默认)|gydF4y2Ba`优先考虑D轴gydF4y2Ba`|gydF4y2Ba`优先考虑Q轴gydF4y2Ba`

选择块应该使用饱和度的方法。gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

要启用该参数,设置gydF4y2Ba饱和度的方法gydF4y2Ba来gydF4y2Ba指定通过对话框gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

satMethodSelectedgydF4y2Ba

饱和限制gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和限制选择技术gydF4y2Ba
`指定通过对话框gydF4y2Ba`(默认)|gydF4y2Ba`输入端口gydF4y2Ba`

选择块是否应该使用对话框或输入端口指定饱和极限。gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

satLimitInputTypegydF4y2Ba

饱和极限值gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba相电压(或电流)峰值极限gydF4y2Ba
`1gydF4y2Ba`(默认)|标量gydF4y2Ba

的最大级电压(或电流)块的输出是有限的。gydF4y2Ba

$DgydF4y2Ba -gydF4y2Ba 问gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba ugydF4y2Ba rgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ngydF4y2Ba lgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba tgydF4y2Ba (gydF4y2Ba cgydF4y2Ba ugydF4y2Ba rgydF4y2Ba rgydF4y2Ba egydF4y2Ba ngydF4y2Ba tgydF4y2Ba)gydF4y2Ba$ 通常电动机的额定电流。当你工作单位系统(PU),你应该将电动机的额定电流转换为单位值对基极电流。gydF4y2Ba

$DgydF4y2Ba -gydF4y2Ba 问gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba ugydF4y2Ba rgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ngydF4y2Ba lgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba tgydF4y2Ba (gydF4y2Ba vgydF4y2Ba ogydF4y2Ba lgydF4y2Ba tgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba ggydF4y2Ba egydF4y2Ba)gydF4y2Ba$ 通常是最大的相电压逆变器提供的。通常它是gydF4y2Ba $\frac{{VgydF4y2Ba}_{直流gydF4y2Ba}}{\sqrt{3gydF4y2Ba}}$ 空间矢量脉宽调制和gydF4y2Ba $\frac{{VgydF4y2Ba}_{直流gydF4y2Ba}}{2gydF4y2Ba}$ 正弦脉宽调制,VgydF4y2Ba_{直流gydF4y2Ba}是逆变器的直流母线电压。gydF4y2Ba

请注意gydF4y2Ba

您可以输入单位或SI单位电压(或电流)值在这个参数(单位输入的值应该是一样的gydF4y2BadgydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}和gydF4y2Ba问gydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}输入)。为了获得最佳性能,我们建议您单位提供一个值。gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

要启用该参数,设置gydF4y2Ba饱和限制gydF4y2Ba来gydF4y2Ba指定通过对话框gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

VmaxgydF4y2Ba

扩展功能gydF4y2Ba

C / c++代码生成gydF4y2Ba
使用仿真软件生成C和c++代码®编码器™。金宝appgydF4y2Ba

HDL代码生成gydF4y2Ba
生成FPGA和ASIC设计的Verilog和VHDL代码使用HDL编码器™。gydF4y2Ba

影响高密度脂蛋白HDL编码器™提供了额外的配置选项和合成逻辑实现。gydF4y2Ba

金宝app支持块参数gydF4y2Ba

HDL代码生成的gydF4y2BaDQ限幅器gydF4y2Ba块,设置这些参数:gydF4y2Ba

集gydF4y2Ba饱和度的方法gydF4y2Ba来gydF4y2Ba指定通过对话框gydF4y2Ba
集gydF4y2Ba饱和方法选择gydF4y2Ba来gydF4y2Badq等价gydF4y2Ba
集gydF4y2Ba饱和限制gydF4y2Ba来gydF4y2Ba指定通过对话框gydF4y2Ba

高密度脂蛋白架构gydF4y2Ba

这一块有一个默认的HDL的架构。gydF4y2Ba

高密度脂蛋白块属性gydF4y2Ba


ConstrainedOutputPipelinegydF4y2Ba	寄存器的数量在输出中通过移动现有的延迟你的设计。分布式流水线不重新分配这些寄存器。默认值是gydF4y2Ba`0gydF4y2Ba`。更多细节,请参阅gydF4y2BaConstrainedOutputPipelinegydF4y2Ba(高密度脂蛋白编码器)gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
InputPipelinegydF4y2Ba	数量的输入管道阶段生成的代码插入。分布式流水线和限制输出管道可以移动这些寄存器。默认值是gydF4y2Ba`0gydF4y2Ba`。更多细节,请参阅gydF4y2BaInputPipelinegydF4y2Ba(高密度脂蛋白编码器)gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
OutputPipelinegydF4y2Ba	数量的输出管道阶段生成的代码插入。分布式流水线和限制输出管道可以移动这些寄存器。默认值是gydF4y2Ba`0gydF4y2Ba`。更多细节,请参阅gydF4y2BaOutputPipelinegydF4y2Ba(高密度脂蛋白编码器)gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

定点转换gydF4y2Ba
设计和模拟使用定点定点系统设计师™。gydF4y2Ba

版本历史gydF4y2Ba

介绍了R2020agydF4y2Ba

另请参阅gydF4y2Ba

比例积分控制器gydF4y2Ba|gydF4y2Ba奇迹课程前馈控制gydF4y2Ba|gydF4y2Ba公园里叶反变换gydF4y2Ba|gydF4y2Ba该项目的控制参考gydF4y2Ba|gydF4y2Ba矢量控制的参考gydF4y2Ba

DQ限幅器gydF4y2Ba

描述gydF4y2Ba

方程gydF4y2Ba

例子gydF4y2Ba

使用霍尔传感器的磁场定向控制的永磁同步电动机gydF4y2Ba

港口gydF4y2Ba

输入gydF4y2Ba

dgydF4y2Ba裁判gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba参考gydF4y2BadgydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba标量gydF4y2Ba

问gydF4y2Ba裁判gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba参考gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba标量gydF4y2Ba

satMethodgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和技术gydF4y2Ba标量gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

satLimgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和限制gydF4y2Ba标量gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

输出gydF4y2Ba

dgydF4y2Ba坐gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和gydF4y2BadgydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba标量gydF4y2Ba

问gydF4y2Ba坐gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba标量gydF4y2Ba

玛格gydF4y2Ba裁判gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba不饱和峰值块输入gydF4y2Ba标量gydF4y2Ba

参数gydF4y2Ba

饱和度的方法gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和方法选择技术gydF4y2Ba指定通过对话框gydF4y2Ba(默认)|gydF4y2Ba输入端口gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

饱和方法选择gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和方法所使用的块gydF4y2Badq等价gydF4y2Ba(默认)|gydF4y2Ba优先考虑D轴gydF4y2Ba|gydF4y2Ba优先考虑Q轴gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

饱和限制gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和限制选择技术gydF4y2Ba指定通过对话框gydF4y2Ba(默认)|gydF4y2Ba输入端口gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

饱和极限值gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba相电压(或电流)峰值极限gydF4y2Ba1gydF4y2Ba(默认)|标量gydF4y2Ba

依赖关系gydF4y2Ba

编程使用gydF4y2Ba

扩展功能gydF4y2Ba

C / c++代码生成gydF4y2Ba使用仿真软件生成C和c++代码®编码器™。金宝appgydF4y2Ba

HDL代码生成gydF4y2Ba生成FPGA和ASIC设计的Verilog和VHDL代码使用HDL编码器™。gydF4y2Ba

定点转换gydF4y2Ba设计和模拟使用定点定点系统设计师™。gydF4y2Ba

版本历史gydF4y2Ba

另请参阅gydF4y2Ba

主题gydF4y2Ba

dgydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}- - - - - -gydF4y2Ba参考gydF4y2BadgydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

问gydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}- - - - - -gydF4y2Ba参考gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

satMethodgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和技术gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

satLimgydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和限制gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

dgydF4y2Ba^坐gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和gydF4y2BadgydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

问gydF4y2Ba^坐gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和gydF4y2Ba问gydF4y2Ba设在电压(或电流)gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

玛格gydF4y2Ba^{裁判gydF4y2Ba}- - - - - -gydF4y2Ba不饱和峰值块输入gydF4y2Ba
标量gydF4y2Ba

饱和度的方法gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和方法选择技术gydF4y2Ba
`指定通过对话框gydF4y2Ba`(默认)|gydF4y2Ba`输入端口gydF4y2Ba`

饱和方法选择gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和方法所使用的块gydF4y2Ba
`dq等价gydF4y2Ba`(默认)|gydF4y2Ba`优先考虑D轴gydF4y2Ba`|gydF4y2Ba`优先考虑Q轴gydF4y2Ba`

饱和限制gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba饱和限制选择技术gydF4y2Ba
`指定通过对话框gydF4y2Ba`(默认)|gydF4y2Ba`输入端口gydF4y2Ba`

饱和极限值gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba相电压(或电流)峰值极限gydF4y2Ba
`1gydF4y2Ba`(默认)|标量gydF4y2Ba

C / c++代码生成gydF4y2Ba
使用仿真软件生成C和c++代码®编码器™。金宝appgydF4y2Ba

HDL代码生成gydF4y2Ba
生成FPGA和ASIC设计的Verilog和VHDL代码使用HDL编码器™。gydF4y2Ba

定点转换gydF4y2Ba
设计和模拟使用定点定点系统设计师™。gydF4y2Ba