复合三相端口与扩展三相端口的比较。第一电路示出了配置有复合三相端口的电压源。阶段分离器块为Simscape™基础库电气元件提供了接口。第二电路表示电压源配置有扩展的三相端口，其可以直接连接到Simscape基础库电气元件。电压源可以通过在右键单击上下文菜单上使用Simscapt块选择选项从复合源以扩展三相端口。

如何使用控制PWM电压和h桥块控制电机。直流电机块使用制造商数据表参数，指定电机在2500 rpm时提供10W机械功率，当从12V直流电源运行时，空载速度为4000 rpm。因此，如果PWM参考电压被设置为其最大值+5V，那么电机应该以4000转/分钟运行。如果它被设置为+2.5V，那么它应该以大约2000 rpm运行。对于受控PWM电压和h桥模块，仿真模型参数均设置为平均值，仿真速度快。为了验证平均行为，改变仿真模式参数到PWM在两个块。

三角形波发生器电路的实现使用两个OP-AMPS。电路的第一阶段是由OP-AMP构造的比较器。比较器的输出限于两个齐纳二极管约束或减去5伏。齐纳二极管施加的限制导致方波。

用于A-TO-D转换器的抗混叠滤波器的模拟实现。滤波器截止频率设置为500Hz，以匹配1kHz的A-To-D转换器采样频率。测试信号包含所需的50Hz正弦曲线加上1100Hz的较高频率分量，不能以1KHz A-To-D采样频率捕获。范围显示捕获的信号，没有抗锯齿。利用抗alias滤波器，使用幅度的幅度和0.5w，即27dBm的相应功率正确地测量50Hz正弦波幅度。

控制四象象限的斩波器。控制子系统实现了一种用于控制输出电流的简单基于PI的控制算法。平均值斩波器模型用于加速模拟。模拟使用正极和负引用。总模拟时间（t）是1 s。在T = 0.5秒，负载直流源E的极性变化。

控制降压转换器的输出电压。为了调整占空比，控制子系统使用基于PI的控制算法。在整个仿真中，输入电压被认为是恒定的。可变电阻为系统提供负载。总模拟时间（t）为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载变化。

在动力辅助汽车转向系统中，采用永磁同步电机放大驾驶员施加的力。

如何利用一个简单的代表性模型来探索旋转能量清除器的性能。电能是由附在直流电动机轴上的偏心质量产生的。质量、几何形状、电机和电气参数必须与期望的机械激励相匹配。产生的电力小于提取的机械功率，主要是由于电机绕组损耗和转子的粘性阻尼。这个例子是基于K。“基于构造互联和阻尼分配的无源控制及其应用”，伦敦帝国理工学院(2014)。简化了模型，省去了直流-直流变换器。

基于绝缘栅极双极晶体管（IGBT）中的开关和导通损耗来产生温度曲线。有两个降压转换器。对于一个转换器，IGBT附着到培养热模型。对于其他转换器，IGBT附着到Cauer热模型。调整热模型的参数以提供大致等同的结果。在仿真时间为50ms，驱动频率从40kHz变为20kHz，这增加了导通损耗并降低了切换损耗。损失的变化导致IGBT温度的相应变化。

自定义频率依赖传输线模型。首先由频率相关的电阻、电抗和电纳导出特性导纳和传播函数。导出的值用射频工具箱™．通用线模型[1]然后在Simscape™基于拟合参数。比较了频变传输线模型和经典pi截面传输线模型的计算结果。

基于绝缘栅极双极晶体管（IGBT）中的开关和导通损耗来产生温度曲线。有两个降压转换器。对于一个转换器，IGBT附着到培养热模型。对于其他转换器，IGBT附着到Cauer热模型。调整热模型的参数以提供大致等同的结果。在仿真时间为50ms，驱动频率从40kHz变为20kHz，这增加了导通损耗并降低了切换损耗。损失的变化导致IGBT温度的相应变化。

Peltier装置工作在冷却模式下，热侧温度为50℃。在冷却模式下，Peltier电池的性能系数(COP)等于通过热电冷却器(TEC)传递的总热量除以电输入功率，COP = Qc/Pin。

模型通过使用磁路中的非线性磁阻块，呈现滞后的自定义变压器。变压器额定为50W负载，从120V降至12V RMS。磁化电阻RM使用涡流块在磁域中进行建模。

一个脉冲宽度调制(PWM)输出实现使用555定时器在稳定模式。占空比由电位器P1设定。电位器在运行时通过占空比控制旋钮进行控制。scope显示555定时器的输出结果。要结束模拟，单击Stop按钮。