Half-Bridge (Ideal, Switching)
带有理想开关和热端口的半桥
- Library:
Simscape / Electrical / Semiconductors & Converters
描述
TheHalf-Bridge (Ideal, Switching)块型号具有理想开关和热端口的半桥。要选择理想的开关设备,请设置开关设备参数到两个MOSFET
,IGBT
, 或者GTO
.
You can specify an integral protection diode for each switching device. An integral diode protects the semiconductor device by providing a conduction path for a reverse current. An inductive load can produce a high reverse-voltage spike when the semiconductor device suddenly switches off the voltage supply to the load.
Equations
半桥内部的保护二极管使用月球和MA模型来捕获电荷动力学效果。定义方程式是:
(1) |
(2) |
iR M是二极管峰值反向电流。
qE是连接点。
qMis the total stored charge.
TM是运输时间。
τ是载体寿命。
The block solves equation 2 att = 0
和qM在稳态中:
(3) |
Att = 0
和qE= 0
, equation 1 is equal to:
(4) |
(5) |
最后,块计算反向恢复能,Erec, 作为:
(6) |
idis the current through the diode.
vd是二极管上的电压。
τRR是反向恢复时间。
给出t2=τRRLN(10)
,总反向回收能是:
(7) |
假设和局限性
The current change in the load is negligible. The inductance or the switching frequency are large enough so that the load current is constant between the switches.
The stray inductance of the circuit is negligible.
端口
输入
G
— Gate terminals vector
物理信号
Physical signal conserving port associated with the gate terminals of the two switching devices, specified as a vector of two physical signals.
向量的第一个元素控制上侧开关。向量的第二个元素控制着下部侧开关。如果在二极管设置,您设置了Integral protection diode参数为是的
,矢量的第一个和第二个元素还分别控制下部和上部二极管。
依赖性
To enable this port, set门控制端口至PS
.
保存
+
- 正末端
电气
与正末端相关的电保化端口。
-
- 负末端
电气
与负末端相关的电气保护端口。
O
- 输出节点
电气
电气保存端口与输出节点相关。
G1
- 栅极终端1
电气
电气保护端口与第一个开关设备的栅极端子相关联。
依赖性
To enable this port, set门控制端口至电气
.
G2
- 栅极终端2
电气
电气conserving port associated with the gate terminal for the second switching device.
依赖性
To enable this port, set门控制端口至电气
.
H
- 热端口
thermal
热保存端口。
Parameters
主要的
可见性主要的参数取决于开关设备和On-state behavior and losses参数。要学习如何阅读此表,请参阅参数依赖性.
主要的参数依赖性
参数和选项 | |||||
---|---|---|---|---|---|
门控制端口 | |||||
Switching Device | |||||
MOSFET |
IGBT |
GTO |
|||
阈值电压,vth | 阈值电压,vth | 门扳机电压,VGT | |||
门关闭电压,VGT_OFF | |||||
保持电流 | |||||
州行为和损失 | |||||
指定常数值 |
用温度和电流制表 |
指定常数值 |
用温度和电流制表 |
指定常数值 |
用温度和电流制表 |
电阻的排水源,R_DS(ON) | On-state voltage, Vds(Tj,Ids) | 向前电压,VF | 在状态电压,VDS(TJ,ICE) | 向前电压,VF | 在状态电压,VAK(TJ,IAK) |
温度向量,TJ | On-state resistance | 温度向量,TJ | On-state resistance | 温度向量,TJ | |
Drain-source current vector, Ids | 收藏家发射器电流矢量,冰 | 阳极 - 阴极电流向量,iak | |||
断开的电导 |
Gate control port
- 门控制端口
PS
(默认)|电气
Whether to use the physical signal input port,G,或电气保护端口G1和G2,作为门控制端口。
开关设备
— Switching device option
MOSFET
(默认)|IGBT
|GTO
切换设备用于半桥。
阈值电压,vth
- 阈值电压
2
V
|6
V
| positive scalar
门扳机电压,VGT
- 门扳机电压
6
V
(默认)|正标量
门关闭电压,VGT_OFF
- 门关压电压
-1
V
(默认)|标量
保持电流
— Current threshold
1
A
(默认)|正标量
州行为和损失
- 损失数据的状态电流
指定常数值
(默认)|用温度和电流制表
参数化方法,指定为:
指定常数值
- 使用标量值指定输出电流,开关损耗和关闭损耗数据。用温度和电流制表
— Use vectors to specify the output current, switch-on loss, switch-off loss, and temperature data.
依赖性
看到主要的参数依赖性桌子。
电阻的排水源,R_DS(ON)
— Drain-source on resistance
0.01
欧姆
(默认)
On-state voltage, Vds(Tj,Ids)
- 状态电压
[0, 1.1, 1.3, 1.45, 1.75, 2.25, 2.7; 0, 1, 1.15, 1.35, 1.7, 2.35, 3]
V
(默认)|正标量向量
Drain-source current vector, Ids
— Drain-source current vector
[ 0 10 50 100 200 400 600 ]
A
(默认)|正标量向量
向前电压,VF
- 向前电压
0.8
V
(默认)|正标量
跨整个collector and emitter block ports for the gradient of the diode I-V characteristic to be 1/R上, 在哪里R上是On-state resistance范围。
依赖性
看到主要的参数依赖性桌子。
On-state resistance
- 国家收藏家抗拒
0.001
欧姆
(默认)|正标量
在状态电压,VDS(TJ,ICE)
- 状态电压
[0, .1, .6, .8, 1, 1.3, 1.6, 2, 2.4; 0, .1, .7, 1, 1.2, 1.5, 1.9, 2.4, 2.8]
V
(默认)|正标量向量
收藏家发射器电流矢量,冰
- 收集器发射器电流矢量
[0,.1、1、5、10、20、40、70、100]
A
(默认)|正标量向量
在状态电压,VAK(TJ,IAK)
- 状态电压
[0, .1, .6, .8, 1, 1.3, 1.6, 2, 2.4; 0, .1, .7, 1, 1.2, 1.5, 1.9, 2.4, 2.8]
V
(默认)|正标量向量
阳极 - 阴极电流向量,iak
— Anode-cathode current vector
[0,.1、1、5、10、20、40、70、100]
A
(默认)|正标量向量
Anode-cathode currents for which the on-state voltage is defined. The first element must be zero.
依赖性
看到主要的参数依赖性桌子。
温度向量,TJ
- 温度向量
[298.15,398.15]
K
(默认)|正标量向量
断开的电导
— Off-state collector-emitter conductance
1E-6
1/Ohm
(默认)|正标量
Conductance when the device is off. The value must be less than1/r, 在哪里R是On-state resistance范围。
依赖性
看到主要的参数依赖性桌子。
损失
可见性损失参数取决于开关设备和On-state behavior and lossesparameters in the主要的标签。要学习如何阅读此表,请参阅参数依赖性.
损失参数依赖性
参数和选项 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Switching Device | |||||
MOSFET |
IGBT |
GTO |
|||
州行为和损失 | |||||
指定常数值 |
用温度和电流制表 |
指定常数值 |
用温度和电流制表 |
指定常数值 |
用温度和电流制表 |
切换损失 | 开关损失,EON(TJ,IDS) | 切换损失 | 切换损失, Eon(Tj,Ice) | 切换损失 | 开关损失,EON(TJ,IAK) |
Switch-off loss | 关闭损失,EOFF(TJ,IDS) | Switch-off loss | Switch-off loss, Eoff(Tj,Ice) | 强迫换向关 | 关闭损失,EOFF(TJ,IAK) |
二极管反向恢复损失 | 二极管反向恢复损失,EREC(TJ,IDS) | 二极管反向恢复损失 | 二极管反向恢复损失,EREC(TJ,ICE) | 二极管反向恢复损失 | 二极管反向恢复损失,EREC(TJ,IAK) |
损失数据的状态电流 | 损失的温度向量,TJ | 损失数据的状态电流 | 损失的温度向量,TJ | 损失数据的状态电流 | 损失的温度向量,TJ |
损失,ID的排水源电流向量 | 收集器发射器电流矢量损失,冰 | 自然换向纠正损失 | 阳极阴极电流向量损失,iak | ||
自然换向纠正损失 | |||||
Off-state voltage for loss data |
切换损失
— Switch-on loss
0.02286
J
(默认)|正标量
Switch-off loss
- 关闭损失
0.01714
J
(默认)|正标量
二极管反向恢复损失
— Loss from diode-reverse recovery
5.70e-3
J
(默认)|正标量
Off-state voltage for loss data
- 州外电压
300
V
(默认)|正标量
损失数据的状态电流
- 输出电流
600
A
(默认)|正标量
开关损失,EON(TJ,IDS)
— Switch-on loss
[ 0 2.9e-4 0.00143 0.00286 0.00571 0.01314 0.02286; 0 5.7e-4 0.00263 0.00514 0.01029 0.02057 0.03029 ]
J
(默认)|正标量向量
关闭损失,EOFF(TJ,IDS)
- 关闭损失
[0, .21, 1.07, 2.14, 4.29, 9.86, 17.14; 0, .43, 1.97, 3.86, 7.71, 15.43, 22.71] * 1e-3
J
(默认)|正标量向量
能量在一次关闭事件中消散。This parameter is defined as a function of temperature and the final on-state output current.
依赖性
看到损失参数依赖性桌子。
二极管反向恢复损失,EREC(TJ,IDS)
— Loss from diode-reverse recovery
[0,.0031,.021,.11,.21,.43,.99,1.71,3.078;0,.0041,.043,.2,.39,.77,1.54,2.27,4.08] * 1E-3
J
(默认)|正标量向量
损失,ID的排水源电流向量
- 用于切换损耗的排水源电流
[ 0 10 50 100 200 400 600 ]
A
(默认)|正标量向量
切换损失, Eon(Tj,Ice)
— Switch-on loss
[0,.0024,.024,.12,.2,.48,1.04,2.16,3.24;0,.003,.03,.15,.25,.6,1.3,2.7,4.05] * 1E-3
J
(默认)|正标量向量
Switch-off loss, Eoff(Tj,Ice)
- 关闭损失
[0, .0007, .0066, .033, .066, .17, .33, .83, 1.5; 0, .001, .01, .05, .1, .25, .5, 1.2, 2.2] * 1e-3
J
(默认)|正标量向量
二极管反向恢复损失,EREC(TJ,ICE)
- 二极管恢复损失损失
[0,.0031,.021,.11,.21,.43,.99,1.71,3.078;0,.0041,.043,.2,.39,.77,1.54,2.27,4.08] * 1E-3
J
(默认)|正标量向量
收集器发射器电流矢量损失,冰
— Collector-emitter current for losses
[0,.1、1、5、10、20、40、70、100]
A
(默认)|正标量向量
Collector-emitter currents for which the losses are defined. The first element must be zero.
依赖性
看到损失参数依赖性桌子。
强迫换向关
— Forced commutation switch-off loss
17.14e-3
J
(默认)|正标量
Energy dissipated during a forced commutation switch-off event. This parameter is a function of temperature and final on-state output current.
依赖性
看到损失参数依赖性桌子。
自然换向纠正损失
- 自然的换向纠正损失
10e-3
J
(默认)|正标量
开关损失,EON(TJ,IAK)
— Switch-on loss
[0,.0024,.024,.12,.2,.48,1.04,2.16,3.24;0,.003,.03,.15,.25,.6,1.3,2.7,4.05] * 1E-3
J
(默认)|正标量向量
关闭损失,EOFF(TJ,IAK)
- 关闭损失
[0, .0007, .0066, .033, .066, .17, .33, .83, 1.5; 0, .001, .01, .05, .1, .25, .5, 1.2, 2.2] * 1e-3
J
(默认)|正标量向量
二极管反向恢复损失,EREC(TJ,IAK)
- 二极管恢复损失损失
[0,.0031,.021,.11,.21,.43,.99,1.71,3.078;0,.0041,.043,.2,.39,.77,1.54,2.27,4.08] * 1E-3
J
(默认)|正标量向量
阳极阴极电流向量损失,iak
- 损失的阳极阴极电流
[0,.1、1、5、10、20、40、70、100]
A
(默认)|正标量向量
损失的温度向量,TJ
— Temperature for losses
[298.15,398.15]
K
(默认)|正标量向量
损失的温度向量,TJ
— Temperature for losses
[298.15,398.15]
K
(默认)|正标量向量
Off-state voltage for loss data
- 损失数据的州外电压
300
V
(默认)|正标量
Integral Diode
Integral protection diode
— Protection diode
不
(默认)|是的
Whether to model the block integral protection diode.
二极管model
- 二极管模型
Piecewise Linear
(默认)|Tabulated I-V curve
二极管model, specified as either:
Piecewise Linear
- 对二极管使用分段线性模型,如Piecewise Linear Diode.Tabulated I-V curve
- 使用列表的前向偏置I-V数据并固定反向偏置电导。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
.
向前电压
- 向前电压
0.8
V
(默认)|正标量
跨整个+
和-
block ports for the gradient of the diode I-V characteristic to be1/r上, 在哪里R上是On resistance范围。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
和二极管model至分段线性
.
On resistance
- 抵抗
0.001
欧姆
(默认)|正标量
电压的变化速率与高于高于值的电流的速率向前电压范围。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
和二极管model至分段线性
.
关闭电导
- 电导
1E-5
1/Ohm
(默认)
反向二极管的电导。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
和二极管model至分段线性
.
表类型
- 表函数
if(TJ,VF)表格中的表格
(默认)|VF(TJ,如果)表格中的表格
是将电流列为温度和电压的函数还是电压作为温度和电流的函数。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
和二极管model至Tabulated I-V curve
.
正向电流,如果(TJ,VF)
- 正向电流
[.07,.12,.19,1.75,4.24,7.32,11.2;.16,.3,.72,2.14,4.02,6.35,9.12]
A
(默认)|非负矢量
向前电流。该参数必须是至少三个非负元素的向量。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
,二极管model至Tabulated I-V curve
, 和表类型至if(TJ,VF)表格中的表格
.
Junction temperatures, Tj
- 连接温度
[25,125]
degC
(默认)|正标量向量
Vector of junction temperatures. This parameter must be a vector of at least two elements.
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
, 和二极管model至Tabulated I-V curve
.
向前电压,VF
- 向前电压s
[.5,.7,.9,1.3,1.7,2.1,2.5]
V
(默认)|非负矢量
向量的向量电压。该参数必须是至少三个非负值的向量。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
,二极管model至Tabulated I-V curve
, 和表类型至if(TJ,VF)表格中的表格
.
正向电压,VF(TJ,如果)
- 向前电压s
[.9,1.15,1.25,1.5,1.75,2.17,2.6,2.85;.58,.68,.75,1.1,1.38,1.77,2.27,2.7]
V
(默认)|非负矢量
向前电压。该参数必须是至少三个非负元素的向量。
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
,二极管model至Tabulated I-V curve
, 和表类型至VF(TJ,如果)表格中的表格
.
向前电流,如果
- 正向电流
[.1, .2, .5, 1, 2, 4, 7, 10]
A
(默认)|非负矢量
Vector of forward currents. This parameter must be a vector of at least three nonnegative values.
依赖性
To enable this parameter, setIntegral protection diode至是的
,二极管model至Tabulated I-V curve
, 和表类型至VF(TJ,如果)表格中的表格
.
热端口
使用热端口模拟产生的热量和设备温度的影响。有关使用热端口和热端口参数,请参阅模拟半导体的热效应.
扩展功能
C/C ++代码生成
使用Simulink®Coder™生成C和C ++代码。金宝app
Version History
See Also
matlab命令
You clicked a link that corresponds to this MATLAB command:
通过在MATLAB命令窗口中输入该命令。Web浏览器不支持MATLAB命令。金宝app
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