主要内容

Half-Bridge (Ideal, Switching)

带有理想开关和热端口的半桥

  • Library:
  • Simscape / Electrical / Semiconductors & Converters

描述

TheHalf-Bridge (Ideal, Switching)块型号具有理想开关和热端口的半桥。要选择理想的开关设备,请设置开关设备参数到两个MOSFET,IGBT, 或者GTO.

You can specify an integral protection diode for each switching device. An integral diode protects the semiconductor device by providing a conduction path for a reverse current. An inductive load can produce a high reverse-voltage spike when the semiconductor device suddenly switches off the voltage supply to the load.

Equations

半桥内部的保护二极管使用月球和MA模型来捕获电荷动力学效果。定义方程式是:

i R M = q E - q M T M (1)
d q M d t + q M τ - q E - q M T M = 0 (2)
在哪里:

  • iR M是二极管峰值反向电流。

  • qE是连接点。

  • qMis the total stored charge.

  • TM是运输时间。

  • τ是载体寿命。

The block solves equation 2 att = 0qM在稳态中:

q M = i R M τ - τ ( i R M - i F ) 经验 ( - t τ ) = τ i F . (3)

Att = 0qE= 0, equation 1 is equal to:

i R M = - q M T M . (4)
然后,块将等式3替换为公式4:
i R M = - τ T M i F , (5)
在哪里iF是测量时的开始电流iR M.

最后,块计算反向恢复能,Erec, 作为:

E r e c = t 1 t 2 i d v d d t = n t 2 i R M e x p ( - t - t 1 τ r r ) v R d t , (6)
在哪里:

  • idis the current through the diode.

  • vd是二极管上的电压。

  • τRR是反向恢复时间。

给出t2=τRRLN(10),总反向回收能是:

E r e c = - 0.9 τ r r τ T M i F v R = - 0.9 τ 2 τ + T M i F v R . (7)

假设和局限性

  • The current change in the load is negligible. The inductance or the switching frequency are large enough so that the load current is constant between the switches.

  • The stray inductance of the circuit is negligible.

端口

输入

展开全部

Physical signal conserving port associated with the gate terminals of the two switching devices, specified as a vector of two physical signals.

向量的第一个元素控制上侧开关。向量的第二个元素控制着下部侧开关。如果在二极管设置,您设置了Integral protection diode参数为是的,矢量的第一个和第二个元素还分别控制下部和上部二极管。

依赖性

To enable this port, set门控制端口PS.

保存

展开全部

与正末端相关的电保化端口。

与负末端相关的电气保护端口。

电气保存端口与输出节点相关。

电气保护端口与第一个开关设备的栅极端子相关联。

依赖性

To enable this port, set门控制端口电气.

电气conserving port associated with the gate terminal for the second switching device.

依赖性

To enable this port, set门控制端口电气.

热保存端口。

Parameters

展开全部

主要的

可见性主要的参数取决于开关设备On-state behavior and losses参数。要学习如何阅读此表,请参阅参数依赖性.

主要的参数依赖性

参数和选项
门控制端口
Switching Device
MOSFET IGBT GTO
阈值电压,vth 阈值电压,vth 门扳机电压,VGT
门关闭电压,VGT_OFF
保持电流
州行为和损失
指定常数值 用温度和电流制表 指定常数值 用温度和电流制表 指定常数值 用温度和电流制表
电阻的排水源,R_DS(ON) On-state voltage, Vds(Tj,Ids) 向前电压,VF 在状态电压,VDS(TJ,ICE) 向前电压,VF 在状态电压,VAK(TJ,IAK)
温度向量,TJ On-state resistance 温度向量,TJ On-state resistance 温度向量,TJ
Drain-source current vector, Ids 收藏家发射器电流矢量,冰 阳极 - 阴极电流向量,iak
断开的电导

Whether to use the physical signal input port,G,或电气保护端口G1G2,作为门控制端口。

切换设备用于半桥。

设备打开的阈值电压。默认值取决于开关设备环境。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

栅极电压电压阈值。当栅极阴极电压高于此值时,设备打开。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

栅极电压电压阈值。当栅极阴极电压低于此值时,设备关闭。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

当前阈值。即使当栅极电压电压落在栅极触发电压以下时,该设备仍会在电流高于此值的情况下。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

参数化方法,指定为:

  • 指定常数值- 使用标量值指定输出电流,开关损耗和关闭损耗数据。

  • 用温度和电流制表— Use vectors to specify the output current, switch-on loss, switch-off loss, and temperature data.

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

设备打开时排水系统阻力。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

当设备处于触发导电状态时,设备上的电压下降。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

定义了状态电压的排水源电流。第一个元素必须为零。使用向量数量指定此参数。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

跨整个collector and emitter block ports for the gradient of the diode I-V characteristic to be 1/R, 在哪里ROn-state resistance范围。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

Collector-emitter resistance when the device is on.

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

当设备处于触发导电状态时,设备上的电压下降。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

国际电压的收集器发射器电流。第一个元素必须为零。使用向量数量指定此参数。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

当设备处于触发导电状态时,设备上的电压下降。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

Anode-cathode currents for which the on-state voltage is defined. The first element must be zero.

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

温度的值,the on-state voltage is specified.

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

Conductance when the device is off. The value must be less than1/r, 在哪里ROn-state resistance范围。

依赖性

看到主要的参数依赖性桌子。

损失

可见性损失参数取决于开关设备On-state behavior and lossesparameters in the主要的标签。要学习如何阅读此表,请参阅参数依赖性.

损失参数依赖性

参数和选项
Switching Device
MOSFET IGBT GTO
州行为和损失
指定常数值 用温度和电流制表 指定常数值 用温度和电流制表 指定常数值 用温度和电流制表
切换损失 开关损失,EON(TJ,IDS) 切换损失 切换损失, Eon(Tj,Ice) 切换损失 开关损失,EON(TJ,IAK)
Switch-off loss 关闭损失,EOFF(TJ,IDS) Switch-off loss Switch-off loss, Eoff(Tj,Ice) 强迫换向关 关闭损失,EOFF(TJ,IAK)
二极管反向恢复损失 二极管反向恢复损失,EREC(TJ,IDS) 二极管反向恢复损失 二极管反向恢复损失,EREC(TJ,ICE) 二极管反向恢复损失 二极管反向恢复损失,EREC(TJ,IAK)
损失数据的状态电流 损失的温度向量,TJ 损失数据的状态电流 损失的温度向量,TJ 损失数据的状态电流 损失的温度向量,TJ
损失,ID的排水源电流向量 收集器发射器电流矢量损失,冰 自然换向纠正损失 阳极阴极电流向量损失,iak
自然换向纠正损失
Off-state voltage for loss data

能量在一次切换事件中消散。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

能量在一次关闭事件中消散。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

在二极管反向恢复事件中消散的能量。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

设备关闭时输出电压。损耗数据以此值定义了阻塞电压。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

定义了开关损耗,关闭损耗和状态电压的输出电流。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

能量在一次切换事件中消散。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

能量在一次关闭事件中消散。This parameter is defined as a function of temperature and the final on-state output current.

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

在二极管反向恢复事件中消散的能量。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

定义损失的排水源电流。第一个元素必须为零。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

能量在一次切换事件中消散。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

能量在一次关闭事件中消散。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

在二极管反向恢复事件中消散的能量。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

Collector-emitter currents for which the losses are defined. The first element must be zero.

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

Energy dissipated during a forced commutation switch-off event. This parameter is a function of temperature and final on-state output current.

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

当块关闭时,纠正损失施加了,因为电流降至保持电流范围。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

能量在一次切换事件中消散。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

能量在一次关闭事件中消散。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

在二极管反向恢复事件中消散的能量。该参数是温度和最终状态输出电流的函数。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

定义损失的阳极电流电流。第一个元素必须为零。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

温度的值,the losses are specified. Specify this parameter using a vector quantity.

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

温度的值,the losses are specified. Specify this parameter using a vector quantity.

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

设备关闭时输出电压。损耗数据以此值定义了阻塞电压。

依赖性

看到损失参数依赖性桌子。

Integral Diode

Whether to model the block integral protection diode.

二极管model, specified as either:

  • Piecewise Linear- 对二极管使用分段线性模型,如Piecewise Linear Diode.

  • Tabulated I-V curve- 使用列表的前向偏置I-V数据并固定反向偏置电导。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的.

跨整个+-block ports for the gradient of the diode I-V characteristic to be1/r, 在哪里ROn resistance范围。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的二极管model分段线性.

电压的变化速率与高于高于值的电流的速率向前电压范围。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的二极管model分段线性.

反向二极管的电导。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的二极管model分段线性.

是将电流列为温度和电压的函数还是电压作为温度和电流的函数。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的二极管modelTabulated I-V curve.

向前电流。该参数必须是至少三个非负元素的向量。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的,二极管modelTabulated I-V curve, 和表类型if(TJ,VF)表格中的表格.

Vector of junction temperatures. This parameter must be a vector of at least two elements.

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的, 和二极管modelTabulated I-V curve.

向量的向量电压。该参数必须是至少三个非负值的向量。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的,二极管modelTabulated I-V curve, 和表类型if(TJ,VF)表格中的表格.

向前电压。该参数必须是至少三个非负元素的向量。

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的,二极管modelTabulated I-V curve, 和表类型VF(TJ,如果)表格中的表格.

Vector of forward currents. This parameter must be a vector of at least three nonnegative values.

依赖性

To enable this parameter, setIntegral protection diode是的,二极管modelTabulated I-V curve, 和表类型VF(TJ,如果)表格中的表格.

热端口

使用热端口模拟产生的热量和设备温度的影响。有关使用热端口和热端口参数,请参阅模拟半导体的热效应.

扩展功能

C/C ++代码生成
使用Simulink®Coder™生成C和C ++代码。金宝app

Version History

Introduced in R2021b