主要内容

一个MOSFET子电路的SPICE转换及验证

本例展示了如何将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)子电路转换为等效的Simscape™组件,并比较了一些标准MOSFET特性的Spice和Simscape图,即Id与Vgs, Id与Vds, Qiss/栅电荷,Qoss/输出电荷和击穿电压。的subcircuit2ssc函数将SPICE网列表文件中的所有子电路组件转换为一个或多个等效的Simscape文件。

打开MOSFET子电路

在本例中,您将把这个MOSFET子电路转换为Simscape组件。要打开SPICE网络列表,请在MATLAB命令窗口中输入编辑IAUC100N04S6L014.cir

接口的SPICE子电路转换。使用实例IAUC100N04S6L014.cir模型到Simscape组件中,并将生成的文件放在新创建的名为+ myMOSFET

打开转换MOSFET模型

iauc100n04s6l014.ssc文件存储在+ myMOSFET目录是通过运行命令获得的经过转换的Simscape组件subcircuit2ssc函数在修改后的SPICE网表上。的subcircuit2ssc函数还转换了SPICE子电路中实现的所有函数。要编辑生成的simscape组件,请在MATLAB命令窗口中输入编辑+ myMOSFET / iauc100n04s6l014.ssc

subcircuit2ssc函数完全导入这个特定的子电路,不需要任何进一步的手动步骤。然而,在本例中,为了更容易地查看模拟结果,您可以访问栅极、漏极和源电流。要访问simlog中的漏流、门流和源流,可以在生成的simscape组件中添加drain internal、gateInternal和% sourceInternal内部节点,以及通过变量对应的idrain、igate和isource %。然后,将更改保存到一个名为iauc100n04s6l014_updated.ssc并将该文件作为参数传递给ee_convertedMosfetValidation MATLAB函数。

创建名为iauc100n04s6l014_wrapped.ssc.该文件是模型中Simscape组件块的组件文件ee_MOSFET_subckt

验证仿真结果

ee_MOSFET_subckt_results脚本调用ee_convertedMosfetValidation函数生成一些标准特征,如Id与Vgs, Id与Vds, Qiss/栅电荷,qss /输出电荷和击穿电压。

要用不同的设置绘制这些特征,双击标记为Define Conditions的块并定义参数。在模型中,要运行模拟并绘制结果,请单击检查结果

清理

最后,删除临时目录及其所有子目录。