允许用户探索参数选择对基于表面电势的MOSFET模型的I-V和C-V特性的影响。要打开这个例子，在MATLAB®命令窗口中，输入:ee_mosfet_characteristics。

允许用户探索参数选择对基于表面电势的p沟道LDMOS场效应晶体管模型的I-V和C-V特性的影响。要打开这个例子，在MATLAB®命令窗口中，输入:ee_p_ldmos_characteristics。

允许用户探索参数选择对基于表面电势的热MOSFET模型的I-V和C-V特性的影响。要打开这个例子，在MATLAB®命令窗口中，输入:ee_thermal_mosfet_characteristics。

NMOS晶体管I-V和C-V特性的产生。定义栅极-源极和漏极-源极电压扫描的偏置条件，以及通过双击定义扫描参数块生成的图类型。然后点击模型中的“Generate plots”超链接。输出电容C_oss仅在漏源极电压扫描时显示出来。注意，C-V特征的生成可能需要几分钟。

绝缘栅双极晶体管的集成电路与Vce曲线的生成。通过双击标记为“定义条件(Vge和Vce)”的块，定义栅极-发射极电压和最小和最大集电极-发射极电压的矢量。点击模型中的“绘制曲线”超链接来运行仿真，绘制仿真结果。

在两种不同温度下IGBT的Ic与Vce曲线的生成。要生成绘图，单击模型中标有“绘制IGBT曲线”的超链接。

IGBT的动态特性如何取决于它的参数。将动态特性与数据表值或测量数据匹配的先决条件是设置定义静态I-V曲线的参数。关于这一点，请参阅“IGBT特性”示例，ee_igbt。正确设置静态参数后，可以如下设置动态参数:

测试装置可用于验证Simscape™Electrical™n通道IGBT的“简化I-V特性和基于事件的定时”变体。该变体只需要与开启栅电压对应的I-V数据，并通过使集电极-发射极电压成为仿真时间的线性函数来模拟开启上升时间和关闭下降时间。这种方法的优点是模拟速度更快，参数化更简单。

使用Simscape™Electrical™详细的开关设备模型来创建表化的开关损耗数据。然后，这些表列数据可以与分段线性开关器件组件模型一起使用，以预测用于快速和/或固定步长仿真的系统模型中的总损耗。

n沟道MOSFET特性曲线的生成。通过双击标记为“定义条件(Vg和Vds)”的块，定义栅极电压和最小和最大漏源极电压的矢量。然后点击模型中的超链接“绘制结果”。

不同参数化下非线性电感行为之比较。从基本参数值开始，推导出线性和非线性表示的参数。然后在Simscape™模型中使用这些参数，并对模拟输出进行比较。

修正Jiles-Atherton磁滞方程的方程系数对B-H曲线的影响。模拟参数设置为运行四个完整的交流周期，初始场强(H)和磁通密度(B)均设置为零。

非线性变压器铁芯磁化特性的计算与验证。从基本参数值出发，推导出核心特性。然后将其用于Simscape™示例测试电路模型，可用于在示波器上绘制磁芯磁化特性。然后将模型输出与已知值进行比较。

NPN双极晶体管的Ic与Vce曲线的生成。通过双击标记为“定义条件(Ib和Vce)”的块，定义基极电流矢量和最小和最大集电极-发射极电压。运行测试并通过在模型中单击“绘制曲线”的超链接生成曲线图。

PNP双极晶体管集成电路与Vce曲线的生成。通过双击标记为“定义条件(Ib和Vce)”的块，定义基极电流矢量和最小和最大集电极-发射极电压。运行测试并通过在模型中单击“绘制曲线”的超链接生成曲线图。

肖特基势垒二极管电流电压曲线的产生。双击标有“定义测试温度”的块，定义要绘制特征的温度矢量。运行测试并通过单击模型中的超链接“绘制曲线”绘制I-V曲线。

根据掩模值验证晶闸管块的静态特性。掩模值与数据表值密切相关，晶闸管块使用这些值来计算用于建模的方程的系数。

根据掩模值验证晶闸管的动态特性。掩模值与数据表值密切相关，晶闸管块使用这些值来计算用于建模的方程的系数。双击每个测试子系统以获得关于测试的进一步信息。

将金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)子电路转换为等效Simscape™组件，并比较Spice和Simscape图的一些标准MOSFET特性，即Id与Vgs, Id与Vds, Qiss/栅电荷，Qoss/输出电荷，和击穿电压。的subcircuit2ssc函数将SPICE netlist文件中的所有子电路组件转换为一个或多个等价的Simscape文件。

利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPICE模拟结果，在Simscape™中设置n沟道MOSFET(基于查找表)的参数值。然后，将n沟道MOSFET在Simscape中的特性与SPICE网表仿真结果进行比较。

从电机cad导入效率图数据，以参数化Simscape™Electrical™Motor & Drive (System Level)块。这为电机驱动提供了快速的系统级模拟能力，同时仍然对损失做出准确的预测。

找出优化复合电机转矩-速度曲线的设计参数，以匹配所需的曲线。

从Hitachi IGBT模块导入参数，并保存在IGBT(Ideal, Switching)块中。日立IGBT参数存储在XML文件中日立格式。

对洗衣机进行改造，并在操作中引入故障。机器供水在特定时间出现故障，本示例在此场景下模拟系统响应。将部分填充的外滚筒排出，电机关闭，机器停止运转。