IGBT行为模型

该示例测试装置可用于验证Simscape™electric™n通道IGBT的“简化I-V特性和基于事件的时序”变体。这种变体只需要对应于通态栅极电压的I-V数据，通过使集电极-发射极电压成为模拟时间的线性函数来模拟通态上升时间和关断下降时间。该方法具有模拟速度快、参数化简单等优点。

测试电束可以用来证明，这一变体的时序特性与“全I-V和电容特性”变体非常相似。要在变体之间进行选择，右键单击N-Channel IGBT块，并选择“Simscape块选择”。

这两个变量都是从同一个数据表中参数化的。唯一需要调优的基于事件的变量参数是Miller电阻。这是调整，以便电流尖峰匹配时，打开一个预先存在的自由流动电流负载。