的复合三相端口与扩展三相端口A比较。第一电路示出了电压源被配置成与复合三相端口。分相器块提供接口到的Simscape™基础库电气元件。第二电路示出了电压源被配置为与扩展的三相端口可直接连接到的Simscape基础库电气元件。电压源可以从复合材料的使用右键单击快捷菜单上的Simscape块选择选项改为扩展三相端口。

如何使用控制的PWM电压和h桥块来控制电机。直流电机模块使用制造商的数据表参数，该参数指定电机在2500转/分钟时提供10W的机械功率，在12V直流电源下空载转速为4000转/分钟。因此，如果PWM参考电压设置为其最大值+5V，那么电机应该运行在4000 rpm。如果它被设置为+2.5V，那么它应该以大约2000 rpm的速度运行。将控制的PWM电压和h桥模块的仿真模型参数取平均值，仿真速度快。为了验证平均行为，将两个块中的仿真模式参数改为PWM。

三角形的实现波使用两个运算放大器发生器电路。该电路的第一阶段是从一个运算放大器构成的比较器。所述比较器的输出被限制在大约正或负5伏由两个齐纳二极管。由齐纳二极管施加的限制导致的方波。

模拟实现用于与A至d转换器中使用的抗混叠滤波器的。该滤波器的截止频率，以便匹配1kHz时的A至d转换器的采样频率设定为500Hz的。测试信号包含期望的50Hz的正弦波加不能用一个1kHz A到d采样频率被捕获在收为1100Hz更高的频率成分。范围显示了不具有和具有抗混叠所捕获的信号。与抗混叠滤波器的50Hz正弦波振幅正确为1的振幅和0.5W的对应的功率，即测得的，为27dBm为1欧姆的参考负载。

控制四象限斩波器。控制子系统实现了用于控制输出电流的简单的基于PI控制算法。的平均值斩波模型被用来加速仿真。仿真采用正反两方面的参考。总模拟时间（t）是1秒。在t = 0.5秒，的负载直流电源E的极性发生变化。

控制降压转换器的输出电压。为了调节占空比，控制子系统使用基于PI控制算法。输入电压被认为是整个模拟不变。的可变电阻器提供了一种用于系统中的负载。总模拟时间（t）为0.25秒。在t = 0.15秒时，负载的变化。

在助力汽车转向系统中，采用永磁同步电机(PMSM)来增强驾驶员的应用力。

如何利用一个简单的代表性模型来探索旋转能量清除器的性能。电能是由附加在直流电动机轴上的偏心质量产生的。质量、几何形状、电机和电气参数必须与预期的机械激励相匹配。产生的电力小于提取的机械功率，主要是由于电机绕组损耗和转子的粘性阻尼。这个例子是基于Nunna, K。“基于应用的建设性互联与阻尼分配无源控制”，伦敦帝国理工学院(2014)。这里的模型简化了，因为省去了DC-DC转换器。

的温度分布的基础上在一个绝缘栅双极晶体管（IGBT）的开关损耗和传导损耗的产生。有两种降压转换器。对于一个转换器，IGBT的重视寄养热模型。对于其他转换器中，IGBT附加到考尔热模型。对于热模型的参数调整，以给大致相同的结果。在50毫秒的一个模拟时间，驱动频率40kHz的从变化到20kHz，这增加了导通损耗和减小开关损耗。在损失的变化导致在IGBT的温度的相应变化。

一个自定义频率相关的传输线模型。特性导纳和传播函数首先由频率相关的电阻、电抗和电纳导出。使用以下方法拟合派生值RF工具箱™。然后实现了通用线模型(ULM) [1]Simscape™根据拟合参数。比较了频率相关的传输线模型和经典的pi-section传输线模型的计算结果。

的温度分布的基础上在一个绝缘栅双极晶体管（IGBT）的开关损耗和传导损耗的产生。有两种降压转换器。对于一个转换器，IGBT的重视寄养热模型。对于其他转换器中，IGBT附加到考尔热模型。对于热模型的参数调整，以给大致相同的结果。在50毫秒的一个模拟时间，驱动频率40kHz的从变化到20kHz，这增加了导通损耗和减小开关损耗。在损失的变化导致在IGBT的温度的相应变化。

一种工作在冷却模式下的Peltier设备，其热侧温度为50℃。在冷却模式下，Peltier cell的性能系数(COP)等于通过热电冷却器(TEC)传递的总热量除以电力输入功率，COP = Qc/Pin。

通过在磁路使用非线性磁阻块模型的自定义变压器表现出滞后现象。变压器的额定一个50W的负载，并从120V下台到12V RMS。磁化电阻Rm在使用涡流损耗块磁畴建模。

一个脉宽调制(PWM)输出实现使用555定时器在稳定模式。占空比是由电位计P1设定的。运行时通过占空比控制旋钮控制电位器。范围显示了555定时器的结果输出。要结束模拟，单击停止按钮。