主要内容
半导体
分立的半导体器件，如二极管和晶体管
使用离散半导体器件转换和整流电源。
Simscape块
| 电流限制器 | 电流限制器的行为模型 |
| 二极管 | 分段或指数二极管 |
| 门司机 | 门驱动器集成电路的行为模型 |
| GTO. | 门关闭晶闸管 |
| 半桥司机 | 半桥驱动器集成电路的行为模型 |
| 半桥（理想，切换） | 半桥，带理想的开关和热端口 |
| 理想的半导体开关 | 理想的半导体开关 |
| IGBT（理想，切换） | 用于开关应用的理想绝缘栅极双极晶体管 |
| MOSFET（理想，切换） | 用于开关应用的理想n沟道MOSFET |
| N沟道IGBT | N沟道绝缘栅双极晶体管 |
| n沟道JFET | n沟道结场效应晶体管 |
| N沟道LDMOS FET | N沟道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散的金属氧化物半导体晶体管适用于高压 |
| n沟道MOSFET | N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管使用Shichman-Hodges方程或基于表面电位的模型 |
| NPN双极型晶体管 | 使用增强的Ebers-Moll方程的NPN双极晶体管 |
| 光耦合器 | 光耦合器的行为模型作为LED，电流传感器和控制电流源 |
| p沟道JFET | P沟道结场效应晶体管 |
| p沟道LDMOS场效应晶体管 | p沟道横向扩散金属氧化物半导体或垂直扩散金属氧化物半导体晶体管适用于高电压 |
| p沟道MOSFET | P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管使用Shichman-Hodges方程或基于表面电位的模型 |
| PNP型双极型晶体管 | PNP双极晶体管使用增强型EBERS-MOLL方程式 |
| SPICE-Imported MOSFET | 由外部香料子电路参数化的预定义MOSFET |
| 晶闸管 | 使用NPN和PNP晶体管的晶闸管 |
| 晶闸管（分段线性） | 晶闸管 |
职能
ee_getEfficiency |
计算效率作为耗散功率损耗的函数 |
ee_getPowerLossSummary |
计算耗散功率损耗和切换损耗 |
EE_GETPOWERLOSSTIMESERIES. |
计算耗散功率损耗和切换损耗，并返回时间序列数据 |
话题
用于指定块参数以匹配来自制造商数据表的数据的技术概述。
为分段线性二极管指定块参数以匹配来自制造商数据表的数据。
为指数二极管指定块参数以匹配来自制造商数据表的数据。
为指数二极管指定块参数以匹配Spice NetList数据。
通过使用热端口模拟产生的热量和装置温度。
基于块参数值，绘制半导体器件模型的I-V曲线。
根据指定的参数值验证MOSFET模型行为。
特色例子
你也可以从以下列表中选择一个网站:
